本帖最后由 绝对有料 于 2018-2-19 15:53 编辑
付费阅读是近几年的趋势,知识有价,免费的有可能是最贵的。在硬广效果不好的现在,隐蔽的植入性广告成了不少厂商的选择。最近小编看到一篇漏洞满满的科普形式软文,从求真务实的角度出发,这一期IT圈纠错就带一起看看其中掺杂有多少硬伤,在“干货”的背后又是怎样的一条利益链。
知识硬伤1:闪存是日立发明的?
很多人都知道Flash闪存是在1984年提出的,发明人是当时在东芝工作的舛冈富士雄。这篇标榜干货的文章当中将NAND闪存的发明者写成日立是错误的。在配图使用东芝颗粒的情况下,还出现这种错误实不应该。
传统上说,Flash闪存分为NOR与NAND两种类型。最早出现的闪存是NOR类型的。NOR地址线与数据线分开,使用方式接近于内存,应用程序可以直接在NOR闪存内运行,而不必先加载到单独的系统RAM当中。
嵌入式系统中经常把NOR闪存用作启动芯片。部分固态硬盘也使用小容量的NOR闪存存储固件(下图红圈内部件)。
而另一种NAND类型的闪存结构则是在1989年由东芝提出,NAND闪存共用地址与数据总线,容量大是它的最显著优势。NAND闪存承担了固态硬盘的数据存储重任。
东芝是闪存世界缔造者这一点是毫无疑问的。而历史上曾经制造过闪存的企业就太多了,除了当代留存下来的东芝、英特尔等老牌企业之外,可能少有人知道的是,英特尔的老对手AMD也曾拥有NOR闪存产品线(飞索半导体的前身就是AMD与富士通合资的闪存业务部门)。
知识硬伤2:3D闪存就是颗粒堆叠在一起?
原文作者显然还没有搞清楚chip与package的区别。3D闪存使用到了芯片堆叠,但这里的3D并不等同于芯片堆叠。2D时代就已经有8Die堆叠的闪存颗粒,3D闪存的堆叠层数指的是单个Chip芯片内记忆体单元的堆叠层数,而叠Die则是多个芯片的再堆叠。
3D闪存的真正意义在于结构上的立体化,这是结构性的变革。芯片之内立体排布的存储单元可以堆叠多层。
当然3D闪存颗粒也会利用芯片堆叠来提升单个封装体的容量。下图是16个“东芝64层堆叠BiCS闪存芯片”进行堆叠的介绍动图:
知识硬伤3:NVMe与SATA固态硬盘是高速与崎岖山路的关系?
单从通道速度来说似乎的确是原文所说的高速与山路,但二者实际体验差距则完全不是这种对比,这一点实际体验过的玩家心里都明白,只是缺少一种系统的理论支撑。
NVMe与SATA实用体验其实可以用跑车和买菜车同时跑在市区道路上来形容。实际应用环境限制了车辆(固态硬盘)性能的有效发挥。在走走停停(程序请求IO操作的间隙很多,成因包括代码执行效率以及不同硬件之间的响应延迟等等)的市区道路上,跑车固然会比买菜车更快一些,但总体提升幅度受到诸多限制,用高速公路和崎岖山路来比喻二者区别,实在是言过其实。
用AS SSD Benchmark对比,NVMe与SATA的跑分成绩差距可能是数倍,可以想象这时它们都在不限速的德国高速公路上以各自的极速狂飙。
而要看PC Mark 8体现的实用性能影响,差距固然有,但远不如AS跑分那么夸张,此刻两块固态硬盘都跑在真实的家用应用下(类似市区道路,有限速并且通畅与拥堵路段混杂)。
具体到PC Mark 8存储测试的子项目成绩来看,NVMe面对SATA的优势并不是原文中所说的高速与崎岖山道的关系。当然这里的对比都是在闪存相同并且主控闪存通道数量一致的基础上。
除此之外原文中还有多处内容充满争议,譬如说“现在不花大价钱已经买不到MLC”,元芳你怎么看?
到最后总结品牌站队的时候,这篇软文的真实意图终于暴露了,第一梯队不用说大家也知道,重点是第二梯队里某些队员是从第三梯队混进来的。
之前已经被曝光的颗粒造假品牌,赫然出现在了第二梯队“品质不错、价格还便宜”系列当中,那么第三梯队所指的山寨品牌到底是留给谁的呢?
对于读者来说,一眼可辨的硬广并不可怕,可怕的是掺杂了隐蔽收费软文成分的假科普真毒药。读者分不清真真假假虚虚实实,恐怕就有机会让某些厂商如愿以偿了。
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