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网传自主DDR4内存诞生是假消息

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绝对有料 发表于 2017-12-25 17:41 | 显示全部楼层 |阅读模式
点击数:1483|回复数:9
转自腾讯快报PCEVA:http://kuaibao.qq.com/s/20171225A0LCIZ00

内存闪存大涨一年有余,国产内存拯救世界一直是众多玩家期盼的梦想。虽然大家都明白这种尖端半导体工业不可能一蹴而就,但还是在耐心等待国货的崛起。就在几天前电脑报的一条微博让人眼前一亮。
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不过紫光威武还没喊出来,就有玩家指出配图中的国产内存条实为DDR3 1600规格,根本不是电脑报所说的DDR4内存,更有网友晒出清晰度更高的紫光国芯内存条照片:
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从批号可以看出,其实这些打有UniIC紫光国芯标志的内存颗粒早在去年就已经问世,不过PC3-12800明明白白就是DDR3内存,运行频率1600Mhz。也有微信聊天截图显示,疑似有紫光员工表示这并非国产内存。

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国产自主DDR4内存问世已经被认定是子虚乌有的假消息了,不过这些DDR3内存的来历依然存疑,这真的是国产内存颗粒吗?

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由于紫光国芯的前身是最早由浪潮集团在2009年收购破产的奇梦达在华资产组建,很快有人联想到这些内存条中的颗粒会不会是奇梦达的技术遗产。不过PCEVA根据高清“国产内存条”图片中颗粒编号MJS448C3G-P发现,所谓紫光国产内存,很可能只是由力成封装的台湾力晶(PoweChip)颗粒。

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紫光在2015年10月狂砸6亿美元,取代金士顿成为台湾内存封测厂“力成”的最大股东。而力成和力晶的关系又非同一般。
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力晶颗粒封装出货的时候经常有不打标的ETT颗粒,上面只有三个字母+三个数字+C3G-P之类的角标。A3G是128MB,B3G是256MB,C3G是512MB,MJS448C3G-P中末尾“C3G-P”乃是力晶内存颗粒的特有标识,代表4Gb(512MB)容量1600Mhz频率。

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力成与力晶之间的关系就像是CPU上写的Made in China与Diffused in USA,简单说就是前者只是组装检测,而晶圆制造则是后者完成的。Intel和AMD的CPU都有Made in China的,但中国只是最终完成包装的产地。

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关系是不是有点复杂?其实理清了就明白了,信息有三点:紫光通过收购现为力成的最大股东;力成是一家封装检测厂,和具备内存晶圆生产能力的力晶关系紧密;紫光国芯DDR3内存上的颗粒有可能是力晶生产、力成封装的,是一条台湾内存条。

Apache 发表于 2017-12-25 18:03 | 显示全部楼层
前两天看到就感觉不靠谱,果然是假的
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团结 发表于 2017-12-25 18:43 | 显示全部楼层
革命尚未成功,同志仍需努力
az6338890 发表于 2017-12-25 19:07 | 显示全部楼层
D3都没降价啊
多少降一个
overthink 发表于 2017-12-25 20:24 | 显示全部楼层
电脑报也开始造谣了
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devondon 发表于 2017-12-26 11:07 | 显示全部楼层
打爱国牌,发爱国财。
McLaren 发表于 2017-12-26 13:34 | 显示全部楼层
果不其然,看到生产周期和12800基本上就知道DDR4新闻多半假消息
zhu890103 发表于 2017-12-26 17:08 | 显示全部楼层
专利鸿沟  恐怕没那么快。 反正先给这些让内存疯涨的公司来个几个亿的罚款套餐
Apprentice-Mark 发表于 2017-12-28 16:40 | 显示全部楼层
6666涨知识
团结 发表于 2017-12-28 16:44 | 显示全部楼层
zhu890103 发表于 2017-12-26 17:08
专利鸿沟  恐怕没那么快。 反正先给这些让内存疯涨的公司来个几个亿的罚款套餐 ...

罚款也好,查环保也好,最终都是转嫁到消费者身上
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