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缩水了?三星新老850固态硬盘对比,或为中国特供

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绝对有料 发表于 2017-10-27 10:26 | 显示全部楼层 |阅读模式
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转自腾讯快报PCEVA:http://kuaibao.qq.com/s/20171027A03VNU00

最近三星中国官网上新增了一款名为850的全新固态硬盘产品,结尾既没有EVO也没有PRO。目前这款新850仅有120GB一种容量可选,三星在其他地区的官网也没有发现该产品,或为“中国特供”。

电脑发烧友对于配件缩水非常敏感,尤其是打着优化名义的偷偷缩水往往伴随着价格不变,性能/品质下降。固态硬盘当中的缩水更为常见,常见的是更换新闪存,厂商偷换闪存或主控往往会掀起轩然大波。那么三星这款新850到底有没有缩水呢?


一般来说闪存原厂品牌的固态硬盘会较为负责,但原厂同样有闪存制程更新的需求,这时他们往往会在保持产品原有性能不变的前提下对型号略作修改以示区分,如东芝Q300在更换15nm制程闪存后在型号末尾加了一个圆点。尽管三星没有明确说明这款不带EVO的850具体使用了何种闪存,但基本可以肯定的是它与当前在售的850Evo 120G存在不同。


PCEVA(微信公众号:PCEVA)根据三星官网提供的信息对新三星850与老850Evo的120GB版本进行了对比,发现以下一些有趣的信息:

在新850当中三星再次用到了“3bit MLC”这一词汇,在840初问世时三星将其用作TLC的代名词,不过眼睛雪亮的网友一眼看穿了其中含义。对于TLC,东芝的描述方式是“3bit per cell”,基本明确了Triple-Level Cell(TLC)。闪迪的描述方式是”X3 Technology“,着力突出科技感。

V-NAND是三星3D闪存的商标,基本可以肯定新850也应用了3D闪存,与750Evo的2D TLC闪存有所不同,不过这里三星没有明确新850所用闪存的具体堆叠层数,有网友猜测这或许与东芝率先成功量产64层BiCS闪存有关:”三星可能希望淡化堆叠层数这一数据“。

性能参数方面,新850与现售850Evo的120GB版本相比,单线程随机写入性能微增,同时4K随机队列读取成绩相比850Evo出现暴降,跌幅达到26%。由于4K QD32性能与SLC Cache基本无关,更多体现的是主控与闪存的性能。由于主控一致,PCEVA分析认为新850有可能在实际利用的闪存通道数量上有所缩减。


这样猜测原因有多个方面:首先基本排除新850使用64层V-NAND的可能,原因是更高堆叠层数的3D闪存主要优势在于大容量版本的成本缩减,如将其应用在入门120GB型号当中,不仅不能发挥成本优势,还会因Die数量减少严重伤害性能。东芝应用64层BiCS 3D闪存的TR200已经取消120GB型号,也从侧面说明了新闪存不适合制造120GB固态硬盘。

4K单线程随机写入性能微增可能与SLC Cache(三星称之为Turbo Write)算法改进有关,是比较容易实现的。即便闪存通道数量缩减,通过优化SLC Cache达到4K QD32随机写入保持在88000 IOPS(约合343MB/s)的目标也不难做到。

新850仅有70000 IOPS的4K QD32随机读取性能(约273MB/s),同时主控又是和850Evo一样的MGX,既然主控没有缩水,那么发生改变的只能是闪存了。如果没有应用新的64层堆叠V-NAND,那么剩下的可能就是闪存通道数量缩减了。



三星推出新850的原因很可能与国内市场竞争激烈有关。相比其他品牌的入门产品,三星850Evo的价格的确是太贵了,而使用2D闪存的750Evo注定只是一个过渡产品。新850不带Evo丢弃了5年质保,回到主流的3年质保时长,并且继续限制75TBW的写入量,有助于进一步降低售后成本。而对于消费者来说,更需要注意850与850Evo之间存在的区别,避免花850Evo的钱买到新850。

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