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全系3D闪存 影驰ONE 120G固态硬盘评测

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Essence 发表于 2017-10-24 09:58 | 显示全部楼层 |阅读模式
点击数:952|回复数:4
为迎接东芝全新64层3D闪存,影驰独立开辟了新的ONE产品线,并表示ONE系列以后将始终坚持只用东芝3D闪存。通过读音,ONE还被影驰赋予了“万”里挑一的寓意。包装盒中心One的首字母中蕴含了影驰的Logo形象,背面则是影驰今年提出的“存现在,储未来”Slogan。


东芝的3D闪存可以说来的比较晚,在此之前东芝将3D闪存都用于移动设备存储芯片出货,直到今年的第三代64层堆叠BiCS 3问世,方才全面进入固态硬盘芯片使用。较早转入3D制程的美光,初代3D制程在性能上表现比较一般,今年进入量产的第二代——同样也是64层堆叠的3D技术,性能终于也有了改观,所以好戏可能刚刚揭幕。



影驰ONE 120G使用了塑料外壳,保留有一定金属拉丝观感,内部使用了PHISON PS3111公版交钥匙方案。


PS3111在PS3110基础上同时做了加减法,缩减了CPU核心以及闪存通道数量,但新增了LDPC纠错,并能支持3D闪存,是目前PHISON公版在SATA接口适配3D闪存的唯一解决方案。在影驰ONE 120G中,无外置缓存的PS3111主控搭配了两颗PHISON封装的东芝64层堆叠BiCS 3D闪存颗粒。

闪存颗粒编号为TT59G55AIV,东芝第三代3D闪存,单Die容量256Gb(另有512Gb规格用于大容量SSD),每个闪存颗粒内封装有2个Die。

有些朋友对于由PHISON封装的颗粒编号还比较陌生,这里简单介绍一下PHISON的编号规律,第一排是颗粒编号:
第一位是颗粒厂商,T=Toshiba,I=IMFT
第二位是封装类型,T=TSOP,P=BGA
第三四位是闪存类型,58=2D NAND,59=3D NAND


第二排是生产日期,01722=2017年22周,对应5月29日到6月4日之间。


测试平台:

CPU:Intel Core i5 6600K@4.5Ghz(所有CPU节能特性关闭)
主板:技嘉Z170X-UD3
内存:芝奇DDR4 2800Mhz 4G*2
硬盘:金士顿HyperX Fury 240G(系统盘)
      影驰ONE 120G(FW:SBFM61.1)
系统:Windows 10 Pro 1709,16299
驱动:系统默认storahci

CrystalDiskInfo信息识别:

CrystalDiskInfo对PS3111公版固件的SMART识读依然不是很完善。不过像不安全关机计数和主机写入量这样的关键指标已经能够正确识别。


影驰自家的SSD魔盘软件可以解读所有SMART信息,包括闪存的平均与最大擦除计数。影驰ONE的温度被固件设定在恒定33度,由于主控本身发热量不大,没有温度传感器也没有太大影响。


Flash ID识别:

Flash ID工具可识别PHISON主控固态硬盘使用的闪存ID,并给出对应的闪存类型:Toshiba 70nm TLC 16K 256Gb,双通道,每通道2CE。由于测试工具问世早于东芝3D闪存,对制程信息的识别不够准确。



基准测试

基准测试1:TxBENCH测试

就Txbench和AS SSD Benchmark这类带宽测试来看,现今各种SATA固态硬盘的表现都比较接近,只能做个参考,实际意义不大。



基准测试2:PC Mark 7测试

在一些入门级TLC固态硬盘中,经常可以见到PC Mark 7的RAW分数不及标准成绩的,一般可以认为是这种固态硬盘会在较重使用负载下表现吃力,对性能影响比较大。影驰ONE 120G的PC Mark 7测试中并没有出现上述情况。



基准测试3:PC Mark 8测试

PC Mark 8存储测试成绩没有突破4900比较遗憾,这主要是主控的能力有限。尽管如此,使用东芝3D闪存的影驰ONE 120G相比搭配15nm 2D TLC的PS3111公版已经进步了很多,甚至不输给我们曾经测试过的15nm MLC版本。


以下对比数据来自PCEVA实测,闪存均来自东芝,不同固件版本也可能会对测试成绩产生影响。


基准测试4: PC Mark 10测试

PC Mark 8的存储测试是基于副盘进行的,而PC Mark 10则是将测试盘作为系统盘使用的状态下进行,在有一定系统背景读写干扰的情况下检验固态硬盘在实际应用中的性能表现。



与搭配东芝15nm MLC闪存的PS3111公版方案相比,影驰ONE 120G在应用程序启动效能上具备明显优势,这个结果打破了过去MLC一定比TLC性能好的传统认知。



基准测试5:SLC缓存分析

由于东芝3D TLC的单Die容量相比15nm 2D TLC翻倍,同等容量下闪存Die数量减半,影响小容量SSD写入性能,最终缓存外持续写入速度相比2D TLC时代基本持平。影驰ONE 120G的SLC缓存容量大约为1.6GB,缓存外持续写入速度大约75MB/s。



进阶测试

进阶测试项目1:4KB QD1 ~ QD32的 随机读写理论测试

此测试目的是为了试探SSD的并发优化程度和IOPS封顶数值。测试方法是全盘快速格式化后用Iometer 1.1 (Pseudo随机数据模型)填充满全盘LBA,然后测QD1 ~ QD32的读取数值,每项1分钟取平均值。写入部分则是全盘格式化后生成8GB LBA测试块。



进阶测试项目2:离散分布测试(IOMETER 5000秒)

填盘过程使用128KB QD32持续写入,SLC Cache用尽后平均写入速度大约75MB/s。


稳定态平均IOPS为1218。离散性高低相差范围超过50%,没有0 IOPS点。


进阶测试项目3:PCMARK 8扩展存储测试之性能一致性部分(稳定态家用环境性能)

这个测试主要是给家用最恶劣环境下的性能参考(全盘不留任何剩余空间,禁用了Windows文件系统缓存跑纯RAW模式)。



进阶测试项目4:异常断电测试

美光在FMS2017闪存峰会上披露,返修产品真实故障成因排名当中,由异常断电引发的数据出错、固件失效、固件自身原因引发的故障占据了前三位。测试固态硬盘异常断电处理是验证其可靠性的有效手段,根据测试需要,该项测试在Windows 7系统+RST15.0驱动下进行,关闭LPM节能。测试开始前使用2GB大小的测试文件填充80GB空间,剩余空间用IOMeter生成的随机数据测试文件填充占满。


每个测试循环包含2次异常断电。测试循环开始时倒计时20秒,由脚本控制USB继电器接通被测固态硬盘+5V供电(+12V始终断开),检测到固态硬盘后使用IOMeter进行4K QD32随机写入,倒计时结束后准时切断供电。停电后间隔3秒,重新进行一次短时上电,持续时间在0-5000毫秒之间随机产生,再次断电后为一个测试循环。由于上电后识别速度等原因,并非每次断电都能被SSD记录到SMART信息当中。

断电测试开始前影驰ONE 120G的意外掉电计数为2次,闪存平均擦除计数21、闪存最大擦除计数53


断电测试结束时影驰ONE 120G的意外掉电计数为4178次,闪存平均擦除计数49,闪存最大擦除计数90

测试结束后重新验证盘上原有40个测试文件的MD5信息,数据完整无误,写入中断电测试并未影响到盘上静态数据。

针对影驰ONE 120G的异常断电测试共执行了2673个循环,实际断电次数5346次,被SMART记录到4176次。

同样的测试脚本曾分别用100次和909次断电测挂了两块假标TLC固态硬盘,用大约2500次断电测挂了一块未开二级OP的TLC固态硬盘。


总结:

随着NVMe向入门级下沉,市场受挤压的SATA固态硬盘现在更多比拼的是容量和价格,而消费者对于性能同样没有完全放弃,3D闪存的升级恰好顺应了用户的这一需求,为市场注入了全新的血液。受主控规格的影响,首款使用东芝3D闪存的影驰ONE 120G性能表现不算惊艳,但也实现了对自我的超越,在同级产品当中凭借PHISON公版方案拥有上佳的稳定性表现。


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zlzgcy 发表于 2017-11-12 17:11 | 显示全部楼层
满盘速度好惨。。。
McLaren 发表于 2017-11-12 20:51 | 显示全部楼层
PHISON封装的颗粒应该是可以的,不过某些牌子总想一起拉下水
909648183 发表于 2017-11-13 18:57 | 显示全部楼层
本帖最后由 909648183 于 2017-11-13 18:59 编辑

和东芝TR200是类似的硬件方案吧
前段时间240G的OCZ ARC100频繁断电(电源故障导致的)后无法识别了,本来电话联系售后说会换个TR200的,最后换了个Q200EX
love我是萧何 发表于 2017-11-14 08:38 | 显示全部楼层
断电测试加分! 就怕突然断电然后挂了。。。
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