转自腾讯快报PCEVA：http://kuaibao.qq.com/s/20171015A00TK000
虽然机械硬盘已成日落西山之势，但却依然属于高技术含量行业。国内曾经的长城、易拓机械硬盘都已不复存在，而西数、希捷、东芝三巨头垄断下的机械硬盘市场也一直没有孵化出非常大的技术变革，最近两年出货的硬盘平均容量增幅不足700GB。
最近西数重提了microwave-assisted magnetic recording (MAMR)微波辅助磁记录，MAMR到底是怎样一种技术，会带来什么样的变化？下面让PCEVA（微信公众号：PCEVA）来为大家解读。
MAMR微波辅助磁记录主要解决磁头写入数据的困难，而写入困难的源头也属于自找的麻烦：机械硬盘需要将磁性颗粒的体积进一步缩小，同时又要避免会导致数据丢失的“超顺磁效应”，因而需要更稳定的磁介质来记录数据。
不过当应用更稳定的磁介质后，写入磁头又有麻烦了：常温常态下数据写不进去。希捷为解决这个问题提出了热辅助磁记录（HARM）路线：通过激光加热使稳定磁介质暂时变为可写入状态，当写入完成后快速让介质冷却至常温，使数据得以存储。
不过激光加热对于存储介质以及可靠性的影响很大，以至这项技术于到现在为止也没有走出实验室。作为竞争对手，西数提出的MAMR微波辅助磁记录路线用微波共振代替激光加热来让稳定磁介质短暂进入可写状态，西数认为这个路线成本更低同时更接近实用化。
10年前问世的垂直磁记录技术发展到今天，能够提供的1.3Tbit/平方英寸的存储密度，即便加上SMR叠瓦磁记录等手段极限也就在1.5Tbit/平方英寸左右。去年的时候希捷进行了记录密度为1.6Tbit/平方英寸的技术演示，不过在几个小时的时间内只有写入1000次左右的能力：先加热、写入，再冷却，实现起来并不容易。
而西数计划的MAMR路线现在看起来更为科幻：未来机械硬盘甚至可以拥有多个磁记录层，类似于双层刻录光盘的效果，不过MAMR使用的是不同频率的微波，而不是激光聚焦位置来控制要访问哪一个记录层。
MAMR微波辅助磁记录技术如果实现，可带来4Tb/平方英寸的存储密度，推动机械硬盘容量提高到40TB以上。来自日本东北大学的研究人员去年已经实现了3层磁记录介质的写入，或许MARM微波辅助磁记录真的是机械硬盘未来的天命所归。
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