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Finfet/3D晶体管时代的几个工艺

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黄元1981 发表于 2017-8-16 01:44 | 只看该作者
haomingci3 发表于 2017-8-5 06:42
我看除了成本拿14++去做没什么问题,GV100的面积非常大,如果你去算GV100对比GP100的晶体管密度提升为3.2 ...

那你觉得拿14++来做GV100面积能压到多少mm2?如果真的拿14++来做GV100的话晶体管能不能上到400亿?
22#
haomingci3  楼主| 发表于 2017-8-16 13:41 | 只看该作者
黄元1981 发表于 2017-8-16 01:44
那你觉得拿14++来做GV100面积能压到多少mm2?如果真的拿14++来做GV100的话晶体管能不能上到400亿?
...

14++的密度和12FFN差不多,就面积来说压不了多少
23#
黄元1981 发表于 2017-8-16 20:19 | 只看该作者
haomingci3 发表于 2017-8-16 13:41
14++的密度和12FFN差不多,就面积来说压不了多少

那用14++来做GV100的话,晶体管还能增加多少?
24#
haomingci3  楼主| 发表于 2017-8-17 18:02 | 只看该作者
黄元1981 发表于 2017-8-16 20:19
那用14++来做GV100的话,晶体管还能增加多少?

密度差不多也增加不了什么
25#
黄元1981 发表于 2017-8-17 18:21 | 只看该作者
本帖最后由 黄元1981 于 2017-8-17 18:32 编辑
haomingci3 发表于 2017-8-17 18:02
密度差不多也增加不了什么

那这么说来,14nm++和12FFN是同一级别的咯?台积电居然在制造工艺上追平了英特尔,真不可思议啊,怪不得黄仁勋说台积电的制造工艺用来做大核心不比英特尔的差
26#
haomingci3  楼主| 发表于 2017-8-17 22:48 | 只看该作者
黄元1981 发表于 2017-8-17 18:21
那这么说来,14nm++和12FFN是同一级别的咯?台积电居然在制造工艺上追平了英特尔,真不可思议啊,怪不得黄 ...

密度一样而已,追平无从谈起,要是想要,初代14nm的密度比14+和14++都大,用来做现在的伏特面积比12FFN和14++小多了,同面积的话晶体管也比14++和12FFN多
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黄元1981 发表于 2017-8-17 23:22 | 只看该作者
haomingci3 发表于 2017-8-17 22:48
密度一样而已,追平无从谈起,要是想要,初代14nm的密度比14+和14++都大,用来做现在的伏特面积比12FFN和 ...

这么说来初代14nm才是王道?现在的14nm+ 14nm++都是垃圾货?如果用初代14nm来做GV100的话,在同为815mm2的面积下可以放入多少晶体管?
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FlankerWang 发表于 2017-8-17 23:40 | 只看该作者
黄元1981 发表于 2017-8-17 23:22
这么说来初代14nm才是王道?现在的14nm+ 14nm++都是垃圾货?如果用初代14nm来做GV100的话,在同为815mm2 ...

你真的认真看了顶楼么...
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黄元1981 发表于 2017-8-18 00:29 | 只看该作者
FlankerWang 发表于 2017-8-17 23:40
你真的认真看了顶楼么...

当然是看了,所以才认识到intel初代的14nm才是王道,对于高性能的大核心来说,intel初代14nm估计可以轻松爆掉台积电12nmFFN,个人估计如果GV100用intel初代14nm来做和台积电12nmFFN同样的面积起码能放入300亿晶体管
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danze 发表于 2017-8-18 15:00 | 只看该作者
黄元1981 发表于 2017-8-17 23:22
这么说来初代14nm才是王道?现在的14nm+ 14nm++都是垃圾货?如果用初代14nm来做GV100的话,在同为815mm2 ...

密度是密度,性能是性能  没看完顶楼吧?
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黄元1981 发表于 2017-8-18 20:27 | 只看该作者
danze 发表于 2017-8-18 15:00
密度是密度,性能是性能  没看完顶楼吧?

密度就是集成度,性能是频率,对于英特尔来说哪个14nm工艺可以和台积电的12nmFFN抗衡?是14nm/14nm+/14nm++?
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haomingci3  楼主| 发表于 2017-8-19 07:13 | 只看该作者
本帖最后由 haomingci3 于 2017-8-19 08:04 编辑
黄元1981 发表于 2017-8-17 23:22
这么说来初代14nm才是王道?现在的14nm+ 14nm++都是垃圾货?如果用初代14nm来做GV100的话,在同为815mm2 ...

工艺要看应用场景,这我主贴已经说的比较明白了,不是简单的谁王道谁垃圾,密度大小更是无法决定一个工艺的好坏。
1、单看做现在这个GV100初代14占不到半点便宜,14++来做虽然面积大,但对散热有利,比如你觉得300W在800mm2上好散热还是500mm2上好散热,关键在14++和14+比初代14功耗还低;
2、如果说你考虑工艺切割极限性能,同面积下的性能,给815mm2里塞更多性能,此时14++的确没有14和14+来的有利,因为规模差距过大,频率弥补不上,但初代14和14+密度差距并不大,频率可以弥补很可能超过规模的损失,14+此时我看比初代14更有利

如果综合来看,我认为三者中比较适合做理想中的GV100的工艺是14+,但你别又理解成14+是王道,14++是垃圾货了。。。。14++说白了是为性能CPU量身打造的工艺
33#
黄元1981 发表于 2017-8-19 17:31 | 只看该作者
haomingci3 发表于 2017-8-19 07:13
工艺要看应用场景,这我主贴已经说的比较明白了,不是简单的谁王道谁垃圾,密度大小更是无法决定一个工艺 ...

那这么说来14nm++不适合做GV100这种特大核心,还是14nm+适合做GV100这种特大核心,如果用14nm+来做GV100的话你估计性能还能拔高多少?也就是面积还能增大多少?频率还能提高多少?
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yifan0vally 发表于 2017-11-20 00:24 | 只看该作者
对于消费者购买节点很重要,这么看来10nm++ 8核5g 是DDR4时代最后的购买节点,但马上DDR5,PCIe5.0要普及又要换代,据说CORE架构在10nm结束,2020年左右有精彩看了
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yifan0vally 发表于 2017-11-20 00:26 | 只看该作者

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36#
royalk 发表于 2017-11-20 09:58 | 只看该作者

这图当意淫看看吧,10nm初代不可能有超过14++的频率,所以115X平台只好拿出8核来弥补,现在Z370改变供电定义也正是为这个做准备
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