转自腾讯快报PCEVA:http://kuaibao.qq.com/s/20170705A02UC100
前不久东芝刚刚拿出了首个使用第三代BiCS 3D闪存的XG5固态硬盘,持续读取3GB/s,持续写入2.1GB/s,用TLC实现了MLC级别的旗舰性能,令人印象深刻。
既然3D TLC已经达到过去2D MLC的水平,3D QLC闪存自然也就提上日程,它将拥有当前2D TLC闪存的耐久度水平:1000次擦写循环!
MLC闪存每个存储单元存储2个比特数据,需要4种电位状态来表述;TLC闪存每个存储单元存储3个比特数据,需要8种电位状态来表述;QLC闪存每个存储单元存储4个比特数据,需要16种电位状态来表述。显然,QLC闪存存储密度更大的同时,更容易出错,需要更强大的LDPC纠错技术。
东芝并未具体说明3D QLC闪存的具体纠错需求,但可以肯定的是会比当前TLC闪存所需的120bit/1K更高。其实这已经不是QLC闪存首次亮相了,早在2009年东芝就联合闪迪宣布了QLC闪存,当时使用43nm制程制造的QLC闪存单Die容量64Gb,主要使用目标是闪存卡和优盘,擦写寿命在100~150次左右。
而东芝现在拿出的3D QLC使用64层3D堆叠技术,单Die容量提升至768Gb,是2009年QLC首次提出时的12倍,擦写寿命1000次,是过去10倍左右,应用范围将不再局限于存储卡,将有机会用在手机、固态硬盘当中。
东芝3D QLC闪存已经出样给固态硬盘主控厂商做开发之用,预计明年晚些时候将随着主控固件的成熟,同时进入大规模量产期,大量产品上市则有望出现在2019年初。
东芝最近爆出的大料还有96层堆叠的第四代BiCS闪存,预计2018年推出,这走在了三星与SK Hynix的前面,韩国媒体BusinessKorea质疑东芝是在放卫星:它不可能有这么多资金用于研发如此先进的技术。韩媒同时还替三星打气,称三星早已第一个研发出96层堆叠3D闪存,只是没有宣布而已。其实吹牛不上税,世界都是韩国的思密达。
东芝因在美核电业务巨亏而陷于资不抵债的边缘,但毕竟闪存是东芝最有竞争力的业务,不管是放卫星还是真正黑科技,压力在迫使东芝现在拿出杀手锏来。不管是谁最先发布96层堆叠3D闪存,不管3D QLC能否如预期那样达到等同甚至高于2D TLC的耐用水平,只要有利于消费者,就是好消息。
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