东芝确认其QLC NAND可达到1000P/E

上周东芝发布了它的第一代BiCS3架构QLC存储芯片，64层、768Gb，预计将用于SSD、平板电脑及存储卡领域。

最新消息表明，东芝的这款QLC颗粒预计可以达到1000P/E的耐久度，与目前的2D TLC相差不大，远超业界预计的100~150P/E。
起初大家都以为这是多打了一个‘0’，然后AnandTech给东芝发了邮件，答复是：

- What’s the number of P/E cycles supported by Toshiba’s QLC NAND?
- QLC P/E is targeted for 1K cycles.

目前并不清楚东芝是如何做到这件事的，但肯定与之相关的是东芝自己的QSBC纠错（ECC）技术有关，东芝透露QLC上使用的QSBC技术纠错能力远超过当前TLC上普遍使用的120bits/1KB。

东芝于本月初开始将QLC芯片样品出货给了各合作伙伴，用于质量认证和设计SSD主控芯片，批量生产时间还是2018年，无具体日期。

这个1K的PE是什么条件下达成的，等待进一步消息

1K  PE不错啊。
对主控的纠错能力要求有多高？

Atom 发表于 2017-7-5 16:24
1K  PE不错啊。
对主控的纠错能力要求有多高？

目前都不清楚，主控现在还在开发中，初期的这一批颗粒就是提供给主控设计公司用的。
东芝只说按他的计算，目标可以到达1000P/E。

不过对于主控的性能需求肯定是少不了的，更强大的纠错算法、更复杂的写入步骤都是吃性能的大户。

那就等着论坛到时候有QLC的严苛测试了，那些不掉电的长测没多大意思