本帖最后由 haomingci3 于 2017-6-19 00:36 编辑
PPT的关键点落于EUV极紫外光刻技术的使用,与传说中5G的效果EUV极紫外光刻:EUV带来的提升看情况,它的效果通俗地说就是量产雕,用EUV做的ryzen可能取消1700而全是1800X的体质。但其效果受底层限制,比如挑最好体质的1800x来也就最多1.4v下4.1g;6700K在一些频率下大雕也追不上7700K。这些已定型的底层上EUV也只能是戴着脚镣跳舞。EUV只能协助极致发挥而不能协助超常发挥。 EUV的性能优势是间接实现的,要与底层设计结合,EUV对掺杂和鳍高的把控力更强,鳍高、公差、冗余设计等方面可以更加大胆,现有193nm+多重曝光的底层则要为良率妥协更多,这间接形成EUV的底层优势。EUV的运用有助于GF在底层追赶intel。 5G效果:GF 7nm在密度上说是相对14LPP减少50%芯片面积,这样看来密度与Intel 10nm差半代,大概与台积电10nm密度相近,命名上相当激进。不过就性能上说可能反倒是好事,14++表示自家10nm密度比我大近3倍,多优化一代到10nm+也搞不死我,10++(估计有新的关键技术)才能和我PK。根据现有材料7LP性能应该是位于intel 14到14++之间,个人预计其主要PK对象是14+。PS:分析具体一些的数据,初代10nm性能上都不一定能干掉14+ 当然这次与14nm完全源于三星14LPP不同,GF可能有自己的想法,带上些IBM 10/7nm的关键技术(SiGe Fin、GAA早期技术等),如果是基于这种理想情况则可能具有与14++叫板的实力。
补充内容 (2017-7-8 18:11):
修正一下,现有数据来看GF的7LP工艺密度上与intel 10nm差不多 |