三星早在2013年就宣布了首代3D V-NAND闪存，不过和三星最早引入TLC闪存一样，初期除了贵还是贵。东芝的3D闪存落地比三星晚了4年，不过可以直接肯定的是东芝的3D闪存会比2D闪存更便宜，并不会重蹈三星3D闪存加价的覆辙。
在上个月信息存储技术公司EMC的一个活动上，东芝展示了3D BiCS闪存晶圆和一台配备了3D闪存版XG系列NVMe固态硬盘的笔记本电脑。
东芝的合作伙伴西数在最近的国际固态电路会议上披露了3D BiCS闪存的更进一步信息，预示着新闪存的临近实用。
东芝/西数的第三代3D BiCS闪存单Die容量512Gb，同当前15nm 2D闪存128Gb单Die容量相比大了4倍。西数表示当前研发进度已经跨过了3D与2D成本交叉点，未来3D闪存将会比2D更便宜：这也正是3D闪存技术的初衷。
由于3D闪存跟普通2D闪存相比变化实在太大，包括制造工艺到机台设备都要更新，在换代推进速度上相比过去2D闪存的制程微缩要慢了很多，早期研发成本居高不下也是三星贵的一个原因。东芝3D闪存落地虽然晚了几年，但从已披露的芯片面积来看制造成本会和三星当前的第四代3D闪存基本持平。
三星与东芝在3D闪存的制造工艺方向上也有所不同，为了解决当前工艺条件下半导体穿孔极限厚度问题，三星减薄了连接存储单元控制端的字线，虽然这会引起电阻增高和数据记录持久力下降，但总算能用一层晶圆解决问题。而东芝选择了更为困难的路线，他们需要两层晶圆串叠，每层晶圆都达到32层，虽然工艺复杂但无损闪存的数据记录性能。
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