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台积电的工艺这么厉害了?

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easports1200 发表于 2017-4-21 22:55 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
点击数:3979|回复数:9
前天索尼发布了最新微单A9,传感器是世界上第一块全画幅的堆栈式CMOS,看到这条消息以后比较不淡定了,在网上查了一下,说这枚传感器的数字层是台积电代工的,16nm工艺,今天又查到说A9的这块CMOS实际尺寸是38.5*25.7,总面积接近1000平方毫米,毕竟GP100这种也就是610平方毫米我记得,多出来300多也不是个容易事
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jie_chen 发表于 2017-4-22 20:06 | 只看该作者
台积电16/12/10/7/5nm。
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mercuryfall 发表于 2017-4-22 20:23 | 只看该作者
希望你能给出数据来源。

不过这事也不是不可能,不如说是这种情况比完全由SONY自产还要更现实一些。
其实iphone6开始,堆栈式后面的那块ISP就已经是TSMC代工的了,SONY只出上面的CIS层,然后通过TSV技术进行堆叠封装。(90nm的CIS、40nm的ISP)

但既然是堆叠封装,两个芯片的尺寸并没有必要保持一致。所以看到上面是全画幅就以为下面一定也是一样大是没有道理的。而且这样也不经济,如果真的是这么大的面积、而且还用16nm工艺,能装多少晶体管啊,也太浪费了。
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CityVen 发表于 2017-4-22 23:03 | 只看该作者
不了解相机 没看出优势在哪,有大神出来说一下么
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easports1200  楼主| 发表于 2017-4-23 10:37 | 只看该作者
本帖最后由 easports1200 于 2017-4-23 10:39 编辑
mercuryfall 发表于 2017-4-22 20:23
希望你能给出数据来源。

不过这事也不是不可能,不如说是这种情况比完全由SONY自产还要更现实一些。

我在微博看到的,兰拓、八妹、ET等几个人的资料综合起来
新发布的A9能达到20张每秒的连拍,索尼现在在全画幅CMOS上最好的工艺是65nm(A7R2、RX1R2和A99-2用的那块CMOS),我估计很可能是用65nm工艺的话功耗压不住,这机器高速连拍靠的就是电子快门,而且每一张可以进行3次AF/AE,几乎所有的主要功能全部依靠CMOS实现,要是功耗控制不住也就没啥意义了,找TSMC代工数字层就比较合理了。另外拉斯维加斯时间23号下午3点索尼要开发布会,很可能是用这块CMOS的新摄像机,光靠A9肯定没法摊薄成本。我说的38.5*25.7是数字层的面积
粗制程功耗多大举个例子就行了,索尼的A7R2用的FW50电池容量很小,只有7.2V、1080mAH,CIPA续航能力在340张左右,相比之下佳能1DX2双电池,每块10.8V、2700mAH,如果全程实时取景的话,CIPA续航能力连300都不到;更尴尬的是这次A9用的容量更大的FZ100电池,带电池手柄的CIPA续航比1DX2用OVF还好那么一丢丢……

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easports1200  楼主| 发表于 2017-4-23 11:08 | 只看该作者
CityVen 发表于 2017-4-22 23:03
不了解相机 没看出优势在哪,有大神出来说一下么

索尼这些年研发CMOS的方向就是刷速度,2015年他们发布的A7R2用的那块CMOS是全世界第一个背照式全画幅CMOS,IMX251,实现了高速(这块CMOS最高能达到4240万像素下12张每秒的连拍,以及Super35画幅超采样4K视频)和低功耗(佳能1DX2全程开实时取景的CIPA续航还不如电池小的多得多的A7R2)的兼顾。但这块CMOS还是满足不了索尼出全幅速度微单的需要,主要问题出在模拟层频率不够高(频率提高了功耗又压不住)以及高速机械快门(电子快门不够快)占用的体积大,但索尼还搞不定大尺寸16或者14纳米工艺,那就得用堆栈式了,它允许不同制程的工艺在一块CMOS上共存,TSMC制造大芯片经验丰富。于是索尼在TSMC的帮助下搞出了全世界第一块堆栈式全画幅CMOS,IMX457,应该是很贵,我听说IMX251尼康都嫌贵所以不肯要。在A9上面达到了2420万像素20张每秒的连拍,但据说索尼给它限速了,这块CMOS的极限在40多张每秒,为了世(自)界(家)的(摄)和(像)平(机),还是要压一压。

另外所有生产图像传感器尤其是生产大尺寸传感器的厂家基本上都对细制程没啥兴趣,因为你像GPU、CPU通过提升制程可以获得芯片尺寸缩小、功耗降低、切割成本降低带来的好处,但是135全画幅永远是36*24毫米、645残幅永远是44*33毫米,提升制程除非是迫不得已否则根本没动力。




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CityVen 发表于 2017-4-23 13:51 | 只看该作者
easports1200 发表于 2017-4-23 11:08
索尼这些年研发CMOS的方向就是刷速度,2015年他们发布的A7R2用的那块CMOS是全世界第一个背照式全画幅CMOS ...

是不是画幅越大 高速连拍的速度越难提升?我记得很多卡片机连拍都能20+的。。
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easports1200  楼主| 发表于 2017-4-23 21:56 | 只看该作者
CityVen 发表于 2017-4-23 13:51
是不是画幅越大 高速连拍的速度越难提升?我记得很多卡片机连拍都能20+的。。
...

确实小画幅更容易提速,M4/3系统的奥巴EM1II最高支持60张一秒,虽然此时没法对焦了,卡片机的话像索尼的黑卡RX100V,连拍速度24张一秒,最多150张,还支持4K超采,1000帧超级慢动作。更大画幅提速也不是不能,前提是得把功耗控制好了
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中华田园犬 发表于 2017-4-24 17:21 | 只看该作者
相机不懂,只是感觉每秒20张很厉害,但这种连拍速度SD卡后的主么?
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easports1200  楼主| 发表于 2017-4-24 23:04 | 只看该作者
中华田园犬 发表于 2017-4-24 17:21
相机不懂,只是感觉每秒20张很厉害,但这种连拍速度SD卡后的主么?

相机都有缓存,这种机器缓存小不了,再加上一次连拍有最大张数限制,没啥问题
其实用SD我也不太理解,因为索尼自己有XQD卡,这可是CF协会定的取代CF的标准,体积略微比SD大但是性能强出不少,专业摄影师也不会在意价钱
但是,但是,双SD也就算了,居然一个是UHS-II一个是UHS-1,这不搞笑么,要是想RAW+JPG双卡同步存储根本不可能,最多就是UHS-II存RAW,UHS-I存JPG
你知道为啥么?索尼居然在想UHS-I能兼容记忆棒……特么你自己都放弃记忆棒了
索尼相机部门简直就是一群天线宝宝,可惜半导体部门那一堆堆IMX251和IMX457了

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