索尼这些年研发CMOS的方向就是刷速度,2015年他们发布的A7R2用的那块CMOS是全世界第一个背照式全画幅CMOS,IMX251,实现了高速(这块CMOS最高能达到4240万像素下12张每秒的连拍,以及Super35画幅超采样4K视频)和低功耗(佳能1DX2全程开实时取景的CIPA续航还不如电池小的多得多的A7R2)的兼顾。但这块CMOS还是满足不了索尼出全幅速度微单的需要,主要问题出在模拟层频率不够高(频率提高了功耗又压不住)以及高速机械快门(电子快门不够快)占用的体积大,但索尼还搞不定大尺寸16或者14纳米工艺,那就得用堆栈式了,它允许不同制程的工艺在一块CMOS上共存,TSMC制造大芯片经验丰富。于是索尼在TSMC的帮助下搞出了全世界第一块堆栈式全画幅CMOS,IMX457,应该是很贵,我听说IMX251尼康都嫌贵所以不肯要。在A9上面达到了2420万像素20张每秒的连拍,但据说索尼给它限速了,这块CMOS的极限在40多张每秒,为了世(自)界(家)的(摄)和(像)平(机),还是要压一压。
另外所有生产图像传感器尤其是生产大尺寸传感器的厂家基本上都对细制程没啥兴趣,因为你像GPU、CPU通过提升制程可以获得芯片尺寸缩小、功耗降低、切割成本降低带来的好处,但是135全画幅永远是36*24毫米、645残幅永远是44*33毫米,提升制程除非是迫不得已否则根本没动力。
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