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台积电将在Volta和Centriq上使用12nm工艺?

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橙黄鼠标 发表于 2017-3-15 18:10 | 显示全部楼层 |阅读模式
点击数:1734|回复数:10
本帖最后由 橙黄鼠标 于 2017-3-15 18:26 编辑


TechReport引述台湾时报的报道称台积电将在NVIDIA的Xavier SOC自动驾驶处理器上的“Volta” GPU和高通“Centriq”服务器处理器上使用12nm工艺,而目前台积电最先进的工艺制程为16nm FinFET Compact工艺,于2015年4月发布,针对中低端移动设备、可穿戴、物联网产品,也差不多是时候升级了。

不过我们从未听说过台积电的12nm工艺,倒是10nm听多了,估计这个12nm还是16nm工艺优化而来,降低功耗和漏电率等等。另外台湾时报并没有透露多过的关于Volta的消息,只知道将会在2018年发布。

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haomingci3 发表于 2017-3-15 19:55 | 显示全部楼层
16nmffc算不上先进,是低功耗小芯片的优化版,与16ff+一个主打低性能低功耗,一个主打高性能高频率,如果compact工艺用在高频上功耗和漏电会爆表,低频低性能芯片上功耗则比性能型工艺低,具体区别可以看作16ff+与14lpe之间的差别。还有就是compact系工艺有成本降低的作用,主要来自于面积缩小。
12nm的真正名字应该叫16ffc+,12nm是marketing的叫法,定位同28nmhpc+,手机高性能芯片用都很勉强,如果nv真的要用也应该是限于车载芯片,因为12nm冲击高频的能力远弱于16ff+。
同样10nm的定位同于20nm,连官方参数都相仿(台积电官网前段时间修改了20nm的30%高数据改为和10nm一样的15%性能提升),但是功耗密度和栅极漏电控制力(栅极变薄漏电控制减弱)都有所退化,同样不适合pc的高性能高频率的主流环境,一方面同样适合小芯片低功耗环境,还有就是更适合多核心低频率环境。。
而真正能担负得起性能级革命的工艺在密度缩减的同时还需要在栅极漏电控制上作文章,如hkmg技术和ff技术都是革命性的抗漏电技术,下一代防漏电技术普遍期待是gate all around,有希望首用于intel 10nm

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haomingci3 发表于 2017-3-15 20:00 | 显示全部楼层
如果按照12nm的玩法,28nmhpc+的命名应该可以叫做21nm
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dogbear 发表于 2017-3-16 16:03 | 显示全部楼层
haomingci3 发表于 2017-3-15 20:00
如果按照12nm的玩法,28nmhpc+的命名应该可以叫做21nm

当年S810用20nm坑出屎来了,顺便问一下28nm hpm和HPC+对比应该是什么样的
haomingci3 发表于 2017-3-16 16:48 | 显示全部楼层
dogbear 发表于 2017-3-16 16:03
当年S810用20nm坑出屎来了,顺便问一下28nm hpm和HPC+对比应该是什么样的

28hpm和hpc+在栅极工艺水平上是差不多的,属于同代产品没有绝对的优劣之分,hpm是移动高性能分支,hpc+是低功耗分支,他们之上还有个28nmHP才是给PC级性能用的。
dosmatters 发表于 2017-3-16 22:01 | 显示全部楼层
haomingci3 发表于 2017-3-16 16:48
28hpm和hpc+在栅极工艺水平上是差不多的,属于同代产品没有绝对的优劣之分,hpm是移动高性能分支,hpc+是 ...

问个问题 联发科X30已经用台积电10nm  骁龙835 三星Exynos 8895也是用上三星10nm(虽然还有产量问题 但起码有了嘛),但为啥GPU CPU这些高性能芯片 还没跨到10nm?
Atom 发表于 2017-3-16 22:23 | 显示全部楼层
dosmatters 发表于 2017-3-16 22:01
问个问题 联发科X30已经用台积电10nm  骁龙835 三星Exynos 8895也是用上三星10nm(虽然还有产量问题 但起 ...

应该是集成度高了,考虑良率,所以用更成熟的工艺生产
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haomingci3 发表于 2017-3-16 23:12 | 显示全部楼层
dosmatters 发表于 2017-3-16 22:01
问个问题 联发科X30已经用台积电10nm  骁龙835 三星Exynos 8895也是用上三星10nm(虽然还有产量问题 但起 ...

1、10nm在挖掘单增加finfet后究竟能扛住多薄栅极漏电,同时也是给7nm做过度工艺(大部分10nm用的机器7nm上可以通用),密度剧增但是finfet靠增高等技术带来的抗漏电改进赶不上栅极微缩带来的抗漏电损失,10nm同样温度高时漏电相对16/14严重,而10nm本身密度增大、厂商又增强性能吃掉功耗下降量,这使得10nm的热密度也增大,增温迅速。但是10nm微缩栅极主要带来了动态功耗的下降(总功耗=动态功耗+静态功耗,静态功耗别名漏电),在漏电控制得住的性能温度下功耗是会低于14/16nm的。手机环境的soc温控更严格,漏电失控的情况相对小一些,大不了降频处理;手机实际多处于中低负载下,漏电更不明显,此时续航反倒得到收益;10nm厂商都乖乖地让频率只提升一点点,漏电的负面影响也会降低,不敢和20nm那样要跑分不要命了(20nm是探索单加hkmg的极限)。

2、PC高性能环境时常是几个小时的满负载高频率高性能运行,10nm的漏电负面影响会很大,一旦漏电失控导致功耗翻倍都有可能,还有造成最终成品频率下降、性能倒退的风险,而10nm优势在中低性能下也只能为PC减个几瓦十几瓦的功耗,更别说代工厂根本就没给10nm做PC性能级优化。10nm的前期投入大,对于性能级大芯片的投入要求高于835这种芯片,收益小还有风险,两家的良率也到不了做性能级大芯片的水平。

dosmatters 发表于 2017-3-17 00:26 | 显示全部楼层
haomingci3 发表于 2017-3-16 23:12
1、10nm在挖掘单增加finfet后究竟能扛住多薄栅极漏电,同时也是给7nm做过度工艺(大部分10nm用的机器7nm ...

那看来只能指望intel了,intel做10nm的时候 其他两家应该也差不多了。
haomingci3 发表于 2017-3-17 00:40 | 显示全部楼层
dosmatters 发表于 2017-3-17 00:26
那看来只能指望intel了,intel做10nm的时候 其他两家应该也差不多了。

10nm上intel有希望上gate all around技术,是最有希望的下一代关键制程技术,与finfet、hkmg齐名
gk104_200 发表于 2017-3-19 09:32 | 显示全部楼层
估计也应该就是INTEL的14nm水平吧
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