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PCEVA Storage Test第四期之Intel 600p NVMe SSD 128GB 和 256GB

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neeyuese 发表于 2016-10-10 10:28 | 显示全部楼层 |阅读模式
点击数:38748|回复数:74


前几年市面上能买到的3D闪存SSD唯独三星一家,现在随着IMFT 3D闪存的工艺成熟度提高,美光推出了MX300系列SSD,而Intel也终于在最近接连推出了6款采用3D闪存的SSD新品。他们是面向消费级的600p系列,与之对应的商用级6000p系列(增加加密支持),面向数据中心的Intel DC P3520 和 DC S3520系列,面向嵌入式市场的E6000p 和 E5420s系列。

今天我们要测试的就是其中这款面向消费级的Intel 600p系列中的最低2个容量型号,128GB和256GB。它们的性能到底如何?下面我们就结合PCEVA Storage Test为大家进行深入介绍和评测。

产品开箱介绍:







棕色壳包装第一眼还真以为是OEM产品,没想到零售包装盒竟然藏在了里面,这颗SSD拥有5年保修。



包装盒里一本安装说明书兼保修手册,一颗2280 M.2接口的SSD。









上面的图片显示,Intel 600p 128GB和256GB的PCB上元件均为单面布局。





Intel 600p 256GB SSD一共3个闪存颗粒,型号为29F64B2AMCMG2,从编号看属于Intel的16nm 32层3D MLC闪存,64GB容量,2 Die,2CE,Page 16KB,Block 16MB,4 Plane,ONFI 4.0接口。不过Intel把它开成了16nm 32层3D TLC闪存使用(同一条生产线,内部控制晶片设置的区别),所以实际可用容量变为96GB,内部2 Die,2CE,Page 16KB,Block 24 MB,4 Plane,ONFI 4.0接口。一共3个闪存颗粒,总容量96GB X 3 = 288GB,标称256GB。



Intel 600P 256GB的缓存颗粒型号为南亚NT5CC128M161P-DI,这是一颗256MB的DDR3-L 1600 CL11的缓存。



Intel 600p 256GB SSD的主控型号其实是SMI(台湾慧荣)的SM2260,8根闪存通道最大支持32CE,PCIe 3.0x4物理接口,支持NVMe 1.2标准,支持2KB LDPC ECC,支持Toggle 3.0或ONFI 4.0闪存接口,支持DevSlp,支持AES256,但不支持端对端数据保护。

这颗主控采用40nm LP制造工艺,虽然主控官标实际性能可以达到2.1GB/s持续读,1.4GB/s持续写,但Intel在600p上只能跑3/6通道模式,同时为了发热量考虑,实际产品最大读取在1.8GB/s左右,而最大持续写入因为是闪存开成3D TLC的关系限制为560MB/s。其实要想发挥出PCIe 3.0x4的完整性能应该使用28nm LP工艺的SM2264主控,不过目前看来Intel之后的产品布局中并没有提到这颗,毕竟大厂一般只有在自家新主控硬件和固件没成熟前才会考虑第三方主控,之后Intel采用Intel Optane技术的SSD肯定会继续用自己定制的主控型号。



Intel 600p 128GB SSD一共2个闪存颗粒,型号为29F32B2ALCMG2(1Die,1CE)和29F64B2AMCMG2(2Die,2CE),同上面一样,Intel把16nm 32层3D MLC模拟成16nm 32层3D TLC使用,所以实际容量会是48GB + 96GB = 144GB,标称128GB。





Intel 600p 128GB SSD的主控和缓存型号同256GB的完全相同。

Intel SSD产品主控状态分析:

Intel SSD 在SATA 2时代并没有区分企业级和消费级的主控,只是依靠SLC/eMLC和OP容量加上固件支持特性的区别来区分。

自SATA 3接口支持以来,Intel自己的企业级主控背后其实一直是由专门的LSI团队定制开发,所以阵列优化和兼容性方面都很强劲。消费级方案则采用过Marvell 9174(Intel 510系列,由Lite-on代工和定制固件,直到现在还被Lite-on拿来吹嘘的资本),之后就是被LSI收购的Sandforce 2代主控,可以说Sandforce 2代主控固件如果没有Intel和金士顿这两位金主的加入,根本就不会有之后的成熟度。

在SATA 3接口支持末期,Intel原本依然想着依靠Sandforce 3代主控来继续打消费级市场(因为Sandforce 3系同时支持PCIe和SATA接口),例如原本的Intel 750就考虑过采用Sandforce 3系9通道闪存控制器,然后SATA接口的消费级中低端也能采用类似阉割版方案,可惜最终没能实现。



上图为Intel的企业级18通道主控,13年发布正式版,支持LDPC。

主控的研发至少需要2-3年的周期,突然失去了Sandforce 3后,一筹莫展的Intel只能把企业级的18通道高端主控(LSI定制)降规来做750系列打消费级高端市场。可惜这颗主控全身企业级特性成本巨高,就算各种降规,例如颗粒标准和OP大小,固件验证时间等依然不是办法,一般闪存主控每通道需要20多针脚,18通道的主控个头也做不到M.2的SSD上,功耗大,速度要拉高QD才起得来,总之就是用大炮打蚊子的感觉。不得已Intel只能改用第三方厂商方案,台系主控2位老成员,Phison是东芝和金士顿那边的人,无奈只能选择SMI,既然高端已经有18通道的大炮了,那就杀个低端6通道PCIe吧。

Intel的18通道高端主控(DC P系列)支持LDPC,换句话说可以继续支持3D闪存,继续沿用到下一代Intel黑科技Intel Optane的产品到来。但是在SATA接口支持上的那颗8通道的Intel企业级主控(DC S系列),并不能支持LDPC,最多支持到16nm 2D MLC工艺(DC S3510),所以只能选择SMI 2258杀低端。(Sandforce 2系列也不支持LDPC,没法继续支持3D闪存了)



上面3张图就是Intel DC S系列SSD的企业级主控,11年出ES,12年正式发布第一版,13年重新流片第二版增加支持16nm 2D MLC。

由于SMI系列主控的加入比较仓促,很多验证部分都没有完全做完就发布了产品。因此当前的Intel 600p和Intel 540s对Intel的工具箱或驱动支持部分不完整,这方面估计还要再等个把月,需要让Intel和SMI的工程师继续协同工作进行改进看看,相信未来固件肯定还会有很多次大升级。

PCEVA Storage Test常规项目:Intel 600p 128GB、256GB和三星PM951 256GB的混合读写和家用稳定态测试成绩分析 :

由于Intel 600p的持续填盘写入速度慢,所以我们的PST测试周期也拖得较长,600p 256GB测了2周,128GB测了1周左右。




这里加入了三星PM951 256GB作对比,这颗PM951采用的是三星UBX主控 - 3核ARM-R4,频率500Mhz,32nm工艺,512MB LPDDR3外置缓存,2颗三星2代32层V-NAND TLC闪存,编号:K90KGY8S7C,单颗128GB,同旧版三星850Evo上的一样。



纯读写测试中,随机部分除了64KB以上数据块大小下Intel 600p 256GB胜出外,别的地方三星PM951都是强于Intel 600p的。三星PM951采用了捆绑读写模式,所以持续读写方面完胜,换句话说复制文件的话会较快。



持续混合读写部分,三星PM951依靠捆绑读写模式占了便宜,但是写入占的比率越多,捆绑读写的效率越难发挥,差距就会变小,甚至被Intel 600p超越。而随着测试文件块增大,捆绑读写模式效率又会提高,三星PM951又占优。



随机混合读写部分,三星PM951的小文件块写入部分表现不好,写入占的比率越高,性能表现越不好。文件块增大后,依靠捆绑读写模式差距逐渐缩小并超越Intel 600p。



在PCEVA Storage Test家用稳定态下的持续读写测试中,捆绑读写模式的三星PM951全面强于Intel 600p系列。



在PCEVA Storage Test家用稳定态下的随机读写测试中,Intel 600p 256GB的有些项目表现还不如128GB,毫无悬念的三星PM951大部分测试均领先Intel 600p。


测试总结:



如图显示,IMFT第1代的32层3D闪存主要卖点是 : 颠覆性的成本


相比16nm 2D闪存成本降低25%以上



三星第2代32层V-NAND对比IMFT的第1代32层3D闪存。

IMFT的第1代32层3D TLC闪存Die容量为384Gb,甚至超过了三星第3代48层V-NAND TLC闪存的256Gb,在超级大幅度降低了成本的前提下,让一向价格高高在上的Intel把600p系列以超低价杀入市场成为可能。据悉第2代的IMFT 3D TLC闪存会做到768Gb Die,能够把成本继续压低30%。

产品优点:
1、Intel的硬件品控。
2、Intel提供的优秀5年质保服务。
3、Intel低价原厂零售版NVMe产品,并提供M.2接口支持。
4、固件带有XOR支持,用来保证数据完整性。

产品不足:
1、第1代3D闪存硬件稳定性还有待时间考验。
2、Intel工具箱软件和NVMe驱动支持度还需要改进。
3、SMI为Intel定制的固件的健壮性有待时间考验。
4、当前所使用的固件SLC缓冲区策略可能会带来用户体验下降。

intel的廉价产品,性能并不美好,因为虽然PCIe打开了外部接口限制,NVMe协议打开了内部协议的限制,ONFI 4.0打开了闪存接口的限制,但是实际可用性能依然受限于闪存本身的能力。Intel 600p并不适合用在对写入性能有要求的应用。对于专业应用例如常用高品质、大体积素材的设计软件的用户,请直接选择Intel的750系列。鉴于大部分家庭用户以性能够用就好的原则,建议选择256GB以上容量的型号来达到容价比最大化。不建议狂热游戏玩家组建RAID 0提升带宽,因为这治标不治本,短板在TLC闪存的写入速度上,而非读写带宽上。

至于耐久度的问题:美光官方的回答是第一代32层3D TLC闪存在基于可靠的LDPC纠错下,可以达到1500 P/E左右,基本和16nm 2D TLC接近。

本文最后放出目前为止测试的PST横评图(分数虽然是越高越好,但是也要注意每款产品的强项和短板在哪里,同时注意测试SSD容量区别





OP容量大的SSD以牺牲用户可用容量为代价,在家用稳定态测试中会占便宜。
我不会特意去开启OP,一切以厂商官标为准


-------------------------------- 技术部分内容--------------------------------------

NVMe驱动提升性能的误会-不排除之后PCEVA可能会针对合作厂商出品通用型NVMe驱动

很多玩家认为厂商提供的NVMe驱动对增强性能有很大帮助,确实如果微软默认NVMe驱动发挥不正常的时候,升级厂商提供的驱动能让硬件发挥正常。但是如果微软默认驱动已经能够发挥硬件极限性能的时候,换不换驱动对性能的帮助很有限。那么厂商提供NVMe驱动是用来起到什么作用的呢?

NVMe驱动并不是为性能提升为主,主要是提供信息反馈,比如SSD Toolbox的支持可能需要官方驱动里的指令才能反馈隐藏Smart信息。









上面的图里,我自己改了NVMe驱动,使得增加了NVME Admin Command的支持,Intel SSD工具箱识别出了SSD,但是没有Smart信息资料(因为Intel 600p系列还没正式在工具箱里加入支持),试了下做Secure Erase功能是完好的。我认为在固件不作出大改的情况下,硬件潜力基本也就挖掘到如此了。改变SLC缓存机制确实能起到提升用户体验的用途,但是新低端SSD短板依然是TLC的写入速度。TLC原本是拿来做低速U盘的,现在挑好点品质的满足基本P/E需求的TLC出来做SSD,但是体质好的TLC速度并不会变快,所以必须开SLC加速来提升用户体验。SLC加速怎么玩是这类SSD的关键,但是缓存终归是缓存,用完的时候就是U盘体验了。U盘还有个问题是主控性能弱,一般只能发挥单通道单Die的性能,SSD主控性能高可以发挥多Die的并发带宽,不过如果买了低容量的型号,那么也就没有多Die并发的性能提升了。颗粒便宜了,主控和其它关键元器件占的价格比重就大了,所以这类SSD应该尽可能往高容量的买来提高容价比。

Intel 600p 的TLC数据区性能特性分析 :





上图是Intel 600p 128GB和256GB 在HDtune里进行128KB块持续写入全盘容量的性能图,相信大家也已经看到此款产品持续写入SLC缓冲区消耗完后会出现写入速度又慢又不稳定的情况了。目前为止外站已经有相当多的Intel 600p评测发布,但他们要么是只字不提这个问题,只是一味地宣传价格优势和5年保修,要不就是光给个测试图但没有说清楚造成这种情况的原因,唯独Tom's Hardware简单提到了是因为不支持direct-to-die write scheme导致,这里我就来具体分析下这个特性。

在我的上一篇测试文 PCEVA Storage Test 第三期之闪迪至尊超极速和至尊高速SSD 480GB 中我有提到了闪迪的销售用语On-Chip Copy技术(业内术语Copy Back指令)。那么Tom's Hardware所提到的Intel 600p不支持direct-to-die write scheme,就是指的它不支持Copy Back了。



上图中分别是支持Copy Back和不支持Copy Back的情况。

如果SSD不支持Copy Back,那么在SLC里的数据要传输到TLC里的话,就需要先读取到缓存,再传输到主控,主控处理数据,再传回缓存,再写入到TLC区域。
如果SSD支持Copy Back技术,则可以直接从SLC读取并往相同Plane里的TLC里写入即可,降低了缓存和主控的资源与带宽消耗。





上图是Iometer测试128KB QD1 持续写入的5000秒性能波动图,可以看到TLC区域性能很低(那条明显的线条就是SLC往TLC区域实际搬运的每根通道性能,128GB大约在90 IOPS = 128KB X 90 = 11.25MB/s , 256GB大约在150 IOPS = 128KB X 150 = 18.75MB/s),但是图中有很多零散的高性能点,这是为何呢?

我们拿Intel 600p 256GB那张图举例,官标持续写入是540MB/s,上图最高点在47000 IOPS附近,也就是47000 X 128KB = 587.5MB/s,符合官标水准,但是这只是开头的几秒SLC缓冲区性能。一旦SLC区域容量满了,就是下图这样等待SLC往TLC这边搬运数据,清空SLC区域后才能继续写入新请求的数据,搬运时为了避免主控出现无响应的情况,SMI固件里默认同时做SLC区域写入和SLC与TLC区域搬运的操作,但是效率比单纯从SLC往TLC搬运效率低很多,此时延迟大幅度增加,SSD 100%满载等情况也随之发生



为何Intel 600p不支持Copy Back呢?难道它真的是为了稳定性而牺牲性能么?(之前闪迪那篇我有提到Copy Back会造成错误率叠加效应,有数据完整性隐患。)




上图左边是美光16nm 2D TLC闪存(美光BX200上采用),右边是Intel第一代3D TLC闪存(600p上采用),所以并不是Intel 600p不想支持Copy Back,是IMFT第一代3D TLC闪存本身不支持Copy Back指令。

PCEVA Storage Test新功能:限流测试 -  判定后台垃圾回收最低效率。

有SLC缓冲区的SSD,当SLC区域写满后,继续写入数据的话,SLC往TLC搬运的速度就会成为瓶颈。目前常用的测试软件只能测试各种情况下SSD的最大性能表现,无法测出这类TLC方案的SSD内部瓶颈速度是多少。为了解决这个问题,我们在PCEVA Storage Test里加入了限流模式,也就是说可以按照自己设置的速度对SSD进行读取和写入测试。下面我就拿Intel 600p 128GB举例:



上面的测试里,我对Intel 600p 128GB进行持续128KB的写入测试,但是我通过限流功能把速度强制固定在20MB/s,当写入的数据量到达3.8GB左右后,出现了图中的毛刺,Intel 600p 128GB SSD在每隔几秒时间均会出现一次100%占用率(卡顿),这是因为SLC缓冲区已满,数据正在从SLC往TLC里搬运,搬运时主机这边的请求就无响应了。



然后我重新测试,这次把写入速度设置到12MB/s,我们看到在SLC缓冲区填满后,依然会有100%占用率出现。



再一次我把写入速度设置到11MB/s,这下即使SLC缓冲区填满,也没有100%占用率了。



上图我生成一个100GB的空文件,通过PST限流功能对Intel 600p 128GB上的这个文件进行每秒12MB/s的128KB持续块写入,等待SLC缓冲区占满后可以看到磁盘占用这里出现波动。



然后我对这颗Intel 600p同时进行了ASSSD测试,可以看出读取速度并未受到影响,但是写入速度已经是TLC的了。

因此得出,Intel 600p SSD即使写入速度很慢,只要有写入请求存在,SLC缓冲区就不会自己主动往TLC数据区里搬运,除非SLC缓冲区满了才被动搬运。

假设你把Intel 600p 128GB做为系统盘,如果用100M的宽带在后台下载几个大视频,按照每秒10MB/s以上的速度,相信不用多久你的前台操作就会出现卡顿了。



上图我生成一个12GB的空文件(类似下载软件进行12GB文件下载的话,会先生成个占用12GB地址的空文件),通过PST限流功能对Intel 600p 128GB上的这个文件进行每秒12MB/s的128KB持续块写入,初期SLC缓冲区没有占满的情况下性能稳定。然后我对这颗Intel 600p同时进行了PCMARK 8测试。



上图是在这种情况下的PCMARK 8跑分,而正常情况下无负载的的Intel 600p 128GB跑分是下图这样。



所以请控制每次的持续写入量不要超过SLC缓冲区尺寸,大容量的Intel 600p相对会好点。



上图是Intel 600p 256GB,可以发现22MB/s下基本过关,等于128GB的翻倍了,可以认为是IMFT 3D TLC闪存在Intel 600p上为每个Die速度11MB/s,256GB的用2个Die去做了搬运。

下图是采用SM2256 + 16nm Hynix TLC的映泰G300 240GB SSD限流测试图



可以看到在80MB/s,依然可以保证占用率低于100%,之后我把速度提高到85MB/s就出现了100%占用率了,这就是copy back技术支持与否造成的差距,因为SLC缓冲区数据可以直接往TLC数据区里搬运,不需要占用主控和外置缓存资源,也就让新的数据进入SLC缓存区更平滑,这些并不是光靠外部接口是PCIe,协议是NVMe就能提速。

Intel 600p 的 XOR 比率和SLC缓冲区容量计算验证:

128GB的600p有144GB的TLC颗粒容量,官方标称容量是128GB,IMFT第一代3D TLC闪存的Die尺寸是384Gb(48GB),每个Die内部有4个Plane,所以3个Die一共是12个Plane。如果把XOR比率开到1/12的话,那么就是144GB X 11/12 = 132GB, 用户格式化后实际可用空间为119GB左右,用132GB - 119GB剩余大约13GB的TLC容量,用13GB / 3 = 4.33GB的SLC Cache容量。(这是理论最大值,实际会比这个小不少,因为还要放外置缓存数据,固件备份和备用块等,更精确的数字有兴趣的话请看文末实测技术分析)

PCEVA Storage Test 新功能: LBA地址范围测试验证 -  判定SLC缓冲区模式。

有SLC缓冲区的SSD,一般会有下面3种情况:

1、固定SLC缓冲区,性能在SLC缓冲区时性能好,但是需要后台进行SLC往TLC的搬运的时候性能会较弱。
2、TLC直写,只使用很小的一块SLC缓冲区用作随机写入缓冲和SSD固件关键数据等的存放。优点是可以带来稳定的持续写入性能。
3、动态SLC缓冲区范围,直接把SSD的全部容量拿来做SLC缓冲区,1/3的容量用完后,后台垃圾回收TLC数据区。优点是最大化峰值性能。



上图是利用PCEVA Storage Test的LBA地址范围测试验证,针对Intel 600p 256GB SSD做7800MB LBA地址范围测试,可以看到即使写入了超过200GB的数据,写入速度依然保持在500MB/s以上的SLC缓冲区状态。



只要我们把LBA地址范围开到7900MB范围,就会出现性能下降,因此可以判定Intel 600p采用了上面第一种情况。



上图是Intel 600p 128GB的SLC缓冲区范围测试,得到的测试结果为:SLC缓冲区的范围为128GB = 3600MB - 3700MB之间,256GB = 7800MB - 7900MB之间,512GB和1TB容量的型号按理会再翻倍。

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nighttob 发表于 2016-10-10 11:01 | 显示全部楼层
600p的最大作用是无情拉低了PCIe NVMe SSD的价格
同时能让一帮人明白PCIe+NVMe不等于高端高性能
天下布兔 发表于 2016-10-10 11:09 | 显示全部楼层
600p并不值得购买,intel果然是一分钱一分货。
kkess 发表于 2016-10-10 11:23 | 显示全部楼层
天下布兔 发表于 2016-10-10 11:09
600p并不值得购买,intel果然是一分钱一分货。

正因为一分价钱一分货,你不能不看600p的价格嘛
很多Intel的SSD都不是以性能为卖点的,至少从售后和稳定性上Intel是有优势的
laress 发表于 2016-10-10 11:25 | 显示全部楼层
牛牛浴室论文
来自苹果客户端来自苹果客户端
athloncn 发表于 2016-10-10 11:25 | 显示全部楼层
又更新了一篇
给力啊 收藏点起来
1230 发表于 2016-10-10 11:27 | 显示全部楼层
SATA盘的价格,PCIe 3.0 X4(虽然没用满)+NVMe协议加持,就把三星没保修的OEM产品算上,也没人能和600p在价格上正面交锋的啦。我看600p挺适合非发烧用户作为尝试NVMe的第一块盘
无道刹那 发表于 2016-10-10 11:41 | 显示全部楼层
那是不是512GB容量值得买?
醉酒棕熊 发表于 2016-10-10 12:11 | 显示全部楼层
买了3块这货,然后退了
无驱动,无法装win7。。。。
hgy9 发表于 2016-10-10 12:19 | 显示全部楼层
大号U盘啊,写入分析那段太给力了。另外,比较好奇M7V近200M写入是怎么做到的。
nighttob 发表于 2016-10-10 12:23 | 显示全部楼层
醉酒棕熊 发表于 2016-10-10 12:11
买了3块这货,然后退了
无驱动,无法装win7。。。。

冒犯地说一句,这也有你水平问题
不论买之前还是买之后

yukari 发表于 2016-10-10 12:31 | 显示全部楼层
持续能上200mb/s的TLC产品还是选择不多
61x7 发表于 2016-10-10 13:16 | 显示全部楼层
技术文章

传统的MLC 产品是不是就不会有这类问题的
中华田园犬 发表于 2016-10-10 13:51 | 显示全部楼层
个人感觉600P是能买的,当然是冲着价格和保修尝鲜去。
有钱和要性能就别考虑了
Cubelia 发表于 2016-10-10 14:13 | 显示全部楼层
本帖最后由 Cubelia 于 2016-10-10 14:17 编辑

看完这篇又学到许多东西了

=
最近一直在研究PCIe SSD引导开机的问题

想问一下Intel 600P是否有内建Legacy的Option ROM可供Legacy BIOS或CSM引导开机
如果没有的话那OROM是否有内建UEFI Driver可供UEFI BIOS引导开机

看浴室之前的"Intel NVMe系列SSD评测第二部分"是用ASUS P8Z77-V DELUXE在UEFI下可以正常引导开机

但这片主板的FW没有NVMe的DXE Driver,也没看到有提及植入NVMe DXE Driver的部分
所以就有这个疑问

http://download.intel.com/support/ssdc/hpssd/sb/nvme_boot_guide_332098001us.pdf
之前看到Intel的文件是指出Intel 750 OROM内建的UEFI Driver得要EFI Shell 2.3.1版以上才能执行

所以在想600P是否也会有内建(如果都没有的话那主板FW就得有NVMe的DXE Driver了)

tsammammb 发表于 2016-10-10 14:37 | 显示全部楼层
IMFT第一代3D就用16nm?只开MLC的话寿命怎么样?
个人还是更喜欢PM951
NOIP117 发表于 2016-10-10 14:46 | 显示全部楼层
其实这个价格对于大部人没什么太高性能需求的人来说还是不错的了,当然intel现在售后正常也被玩坏了
idle 发表于 2016-10-10 14:56 | 显示全部楼层
然后我对这颗Intel 600p同时进行了ASSSD测试,可以看不出读取速度并未受到影响,但是写入速度已经是TLC的了。


可以看不出,应该是 可以看出 吧?

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yhhekeda 发表于 2016-10-10 14:57 | 显示全部楼层
pst功能真的很强大,nvme和pcie3.0*4也不是护身法宝,还得颗粒自身素质给力才行,期待采用动态slc cache模式的盘的测试,比如q200ex,mx200等
powergx 发表于 2016-10-10 15:04 | 显示全部楼层
ocz rd400 现在太贵了, 就等黑5
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