前不久东芝-西数才宣布了64层3D V-NAND量产计划，相比三星的计划略微靠前。正在进行的闪存峰会上三星便宣布64层3D V-NAND的量产时间提前到今年第四季度，再次获得纸面领先——当然东芝-西数的64层量产时间现在也不过是计划层面。
三星的第四代V-NAND（3D闪存）将使用64层结构，单Die容量512Gb（64GB，如果使用16Die封装的话单颗闪存颗粒最高将可达到1TB容量），闪存接口带宽也提升到800MT。
借助第四代V-NAND的高容量优势，三星将可制造出32GB容量的2.5寸SAS SSD、1TB容量的BGA SSD、高性能低延迟的Z-SSD。
使用第四代V-NAND的1TB BGA SSD将可提供1600MB/s持续读取和900MB/s持续写入的性能，为紧凑型移动设备提供强大性能助力。至于下面展示的这个带有散热片的家伙则是企业级定位，相比现有的PM963 NVme SSD在读取速度上快1.6倍，延迟低4倍
三星预计第四代V-NAND将在第四季度出货，而上述32TB SAS SSD、1TB BGA SSD以及Z-SSD则要到明年才能问世。其实谁是宇宙第一不重要，重要的是要给大家带来实惠，尤其是落在我们买到到用的上的消费者产品上，能给大家切实的甜头
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