继OCZ Trion 150之后,金士顿UV400也将进行耐久度测试。测试对象为评测中的240G样品,固件版本0C3FD6SD,序列号50026B77640A3659。
耐久度测试开始之前,首先通过试验确定SMART项中各项与写入量有关的指标。通过多次测试可知F1为主机写入量,E9为SLC区域写入量,EA为TLC区域写入量。如果写入的数据在SLC Cache释放前被删除,则不会带来TLC写入量的增加。
首先以空盘状态开始,使用IOMeter随机数据填充满全盘,整个过程中F1主机写入量增加224(GB),E9 SLC区域写入量增加230(GB),EA TLC区域写入量增加223(GB),F1与EA相差的1应当是SMART数据取整数所致。上述测试说明当空盘持续写入时,TLC区域写入量基本与主机写入量持平,可以达到接近于1的写入放大率理想状态。
格式化全盘后删除分区,在无文件系统状态下,使用Txbench RAW模式进行4K QD32随机写入,定量写入20GB随机数据:
写入结束后F1主机写入量增加20(GB),E9 SLC区域写入量增加22(GB),EA TLC区域写入量增加20(GB),写放大基本等于1,说明在理想的单纯4K随机写入情况下,UV400可以通过DRAM缓存及SLC Cache合并写入,有效控制写入放大。
当然以上都是在理想状态下的表现,在一次填充满全盘然后使用随机数据进行混合读写的简单测试过程中,写入放大率大约3.4,当然这个数值也并不具备普遍代表意义,实际使用中的写放大表现会依使用方式不同而有所差异。耐久度测试的目的并非模拟特定使用环境下的写入放大,而是要考察闪存的擦写循环寿命。
对于UV400而言,所有写入数据都需经由SLC Cache之后方能写入到TLC区域。当TLC闪存以SLC模式工作时的耐用度远高于TLC模式写入,因此耐久度测试中基本无需考虑SLC区域写入量,而是以TLC区域写入量作为闪存磨损指标。本次耐久度测试依然使用8MB区块持续写入,盘内最小剩余空间8GB,写满后删除测试文件并立即开始下一轮写入。
金士顿UV400 240G的官标耐久度为100TBW,我们将首个耐久度测试目标设定为平均1000次擦写(约250TB写入)。UV400 240G的耐久度测试现在已经开启,当前写入速度大约86MB/s,预计到达首个测试节点需一个月以上。
|
本帖子中包含更多资源
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
|