转自chinaflashmarket.com
日经新闻3日报导，东芝将在明年应用NIL（Nano-imprint Lithography，纳米压印）技术生产闪存，此技术将使曝光工程(形成回路的工程)成本压低至采用现行技术的1/3水平，就整体制造工程来看，预估成本有望删减约1成。报导指出，东芝正和大日本印刷(DNP)、Canon持续研发NIL技术，以提高成本竞争力、对抗三星。
据报导，东芝计划今后3年内对半导体事业砸下8600亿日元进行投资，其中部分资金将用来整备采用NIL技术的NAND Flash产线，且计划于2017年度开始进行生产、之后并计划利用预计于2018年度启用的新厂房进行量产。因现行技术已难以进一步提高半导体性能，故包含东芝在内的全球半导体大厂正积极进行次世代技术的研发，而除了上述的NIL之外，荷兰设备厂ASML在获得Intel、三星的支援下，正进行极紫外光(EUV)曝光技术的研发。
东芝3月18日宣布，将在2016年度-2018年度的3年间总计砸下约8600亿日元投资NAND Flash，除将兴建3D Flash新厂房之外，也将对现有厂房进行设备更新、提高3D Flash的生产比重。
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