本帖最后由 sajuukkar 于 2016-4-30 22:41 编辑
随着五一假期的到来，终于稍微有点空闲时间玩玩装机了。自来到PCEVA论坛，很久以来就想写点什么，趁着此次 Kingston 内存的论坛活动，正好回顾一下自己一路以来的DIY历程，也算是对The Good Old Days的一种缅怀吧。相似额的内容比较多，LZ的空闲时间又有限（主要还是懒 ，下班回家就不想动了），可能会花一段时间陆陆续续地补充吧。由于LZ本人水平所限，其中可能难免纰漏，还请大家不吝指正。
主要内容：
一、PC内存的演变（施工中）
1.上古时代（冯·诺依曼结构提出内存概念~Intel推出4004）
一般认为计算机内存的概念是冯·诺依曼提出的，这位天才在EDVAC项目中划时代的提出：
a) 采用二进制
b) 用内存储器也就是内存，来存储指令和数据
这就是著名的由运算器、控制器、存贮器、I/O设备等部分组成的冯·诺依曼计算机结构。
众所周知，极早期计算机是没有内存这一概念的，没记错的话ENIAC仅有20个寄存器，用打孔带输入数据，运算程序不是存储在内存中是靠实际重新搭建电路……据说花一周搭电路，然后花10分钟算出结果 。值得一提的是ENIAC使用的是10进制，而不是二进制，这就造成元件众多，结构复杂，自然可靠性就低，要派专人不断巡检更换损坏的电子管。
所以按照冯·诺依曼结构制造出来的后继机EDVAC就先进得多了，不到6000的电子管（大约仅相当于ENIAC的1/5），计算能力却更强！这是什么概念，相当于农企外星黑科技附体，推出 SHIN·NEO·FINAL·PPT·ZEN 大法，用低端APU击败了5960X！当然区别在于前者是历史的事实，后者嘛基本只存在于PPT之上。
从EDVAC开始，计算机内存的概念逐渐确立。1947年，牛逼的AT&T贝尔实验室发明了晶体管！IT行业又迎来了一次大革命！ 这里插一句，这家贝尔实验室牛逼到什么程度呢？从1925年成立至今，共出了13位诺贝尔奖获得者！！！获得了8项奖项！！！现在我们天天用的C/C++和UNIX也出自这里。 当然，这离剑桥卡文迪许实验室的30名还差得远，但那时物理学科研也集中在欧洲少数几家实验室，不像20世纪以后分布得很分散，我估计这一数据今后也基本不会有实验室能超过了。
古希腊：苏格拉底 --> 柏拉图 --> 亚里士多德
近代欧洲：J.J.汤姆逊（发现电子） --> 卢瑟福（原子的太阳系模型） --> 玻尔（玻尔模型） --> 海森堡（不确定关系）、泡利（不相容原理）、朗道（朗道十诫）等等等等。
J.J.汤姆逊的学生中除卢瑟福之外还有威尔逊（发明云室）、W.H.布拉格（布拉格衍射）、玻恩（波函数的概率诠释）等，卢瑟福的学生中除玻尔之外还有卡皮察（发现超流体）、查德威克（发现中子）、哈恩（发现核裂变）等等。人家卢瑟福一人教出了14名诺贝尔奖得主！！！相比之下，国内的各家大学，好意思说自己是教育机构吗？
回到正题，上面提到，进入晶体管时代，计算机的规模（管数）和性能都有但注意当时的器件还是分立的电子管/晶体管，用引线连接，没有电路“板”的概念，自然没有专门的“内存条”这种东西。直到1957年，达默提出“将电子设备制作在一个没有引线的固体半导体板块中”的设想，才形成了集成电路（IC，Integrated Circuit）的雏形。1958年，德州仪器（TI，又一家伟大企业）公司的工程师基尔比(Jack Kilby)在一块半导体硅晶片上将电阻、电容等分立元件集成在里面，制成世界上第一片集成电路。也正因为这件事，2000年的诺贝尔物理奖颁发给了已退休的基尔比。1959年，美国仙童公司（Fairchild，由硅谷“八叛逆”（请百度极品老板“肖克利”）创立，曾是全球第一的半导体公司，硅谷摇篮，后由于投资方的问题分崩离析，其浮沉让人唏嘘）的诺伊斯等人用蒸发沉积金属的方法代替热焊接导线，实现了集成电路的工业化生产。
其后，1968年，“八叛逆”中的罗伯特·诺伊斯（N. Noyce）、戈登·摩尔（Gordon Moore）携葛洛夫（A. Grove）离开仙童出走，取集成电子（Integrated Electronics）之意，创建了Intel，从此开启了一个帝国时代。
说到Intel，都会联想到CPU。但事实上，Intel最早是生产内存的！！！1969年，英特尔发布了第一款产品3010 Schottky双极随机存储器（RAM），紧接着又推出了世界上首款金属氧化物半导体（MOS）静态随机存储器（SRAM）1101。此后，1970年，英特尔发布了1103动态随机存储器（DRAM）。 解释一下，SRAM（Static Random Access Memory），静态随机存取存储，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据；而DRAM（Dynamic Random Access Memory），动态随机存储器，每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失。SRAM具有较高的性能，功耗较小，但是SRAM需要更复杂的双触发器结构，同样面积的硅晶片，做成DRAM能比SRAM容量大很多，因此SRAM成本较高，主要用在高速缓存，比如CPU Cache，而我们常用的内存，都是采用DRAM。
历史性的事件发生在1971年，Intel推出历史上第一颗商用微处理器 4004；接着，1974年英特尔发布首款真正的通用微处理器INTEL 8080，时钟频率为2MHz。那么，让我们来看看同一年发布的DRAM内存 2107 容量是多少呢？只有4K！是的，你没看错，只有4K！相比之下，现在一般人装机标配的16GB，足足翻了4百万倍有余（2^22倍）！可以想象在那个年代，内存容量的瓶颈是多么严重。现在的随便一台台式机的内存在那时，都价值上亿（当然是开玩笑的）！ 1981年，IBM选择了8088作为IBM PC的微处理器，从此开创了PC时代。而实际上，直到1985年，也就是英特尔推出80386 32位处理器（集成27.5万门晶体管）的那一年，Intel才正式将公司中心从最初的DRAM内存转向CPU！也就是说，1985年之前，与其说Intel是一家CPU生产商，不如说是内存生产商。
简单来说，从4004开始，严格来说是其配套芯片组4001(动态内存DRAM)、4002(只读存储器ROM)、4003(寄存器Register)开始，就有了一般意义上的内存的概念，
这一时期的内存和CPU都是DIP封装（Dual In-line Package），也叫双列直插式封装技术，是一种最简单的封装方式，引脚数一般不超过100。如下图就是DIP封装的8086芯片，有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上，且通常会焊接固定不可插拔。这一情况一直持续到8086和8088。
2.启蒙时代（Intel推出80286~Pentium时代的EDORAM）
在Pentium时代，EDORAM(extended data output RAM)登上了历史舞台，实际上就是在普通DRAM中加入了一块SRAM，因为SRAM的访问速度要快于DRAM，所以这会加快访问内存的速度。（施工中）
二、内存性能评测（待更新）
计划主要用到以下几个平台：1.z87+4790K+DDR3-2400 2.z170+6600K+DDR4-2400 3.b150+6100+DDR4-2400(此时由于芯片组支持问题，实际内存是降频运行的) 4.x79+3960X+DDR3-1600（垃圾板子超频太烂干脆全插了1600普条） 5.手边没有x99平台，所以4通道下的ddr4这部分暂时没法测试
其中前两个平台会先锁频锁核心以模拟6100。然后也会进行超频后的性能测试，但本人的这几颗CPU可能有点雷，ring超不大高，所以数据仅供参考。
实际上这也是本人当初选择Fury 2400而不是Savage 3000的原因之一，为了方便对比同频率下DDR3和DDR4的性能差异。
至于测试软件，打算主要用sandro和PCMark，WINRAR也是一个不错的选择吧，其他还有什么好的推荐么？Cinbench感觉跟内存关系不大，AIDA跑分略偏娱乐向。
虚拟化方面本人对ESXi不是太熟，而且感觉与其说跟内存性能相关不如说对内存容量敏感，无脑插满就是了，就不做这方面测试了。倒是能有时间的话会补一些实际生产环境下的应用，比如基于matlab或python吧。另外视频渲染也在计划中，但LZ比较懒，有没有时间做就是另一回事了。
三、最后还是惯例的开箱。
说是开箱，有不少配件还没到齐。等慢慢补全吧。
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