本帖最后由 Essence 于 2016-5-4 13:24 编辑
市场为不甘平凡的玩家提供了多样化的选择, TLC SSD产品分化成主打高性能(如三星850Evo)、主打性价比(如OCZ Trion 150)、主打高耐久(如浦科特M7V)等不同阵营,MLC SSD中有使用PCIE接口NVMe协议的高性能取向产品(如Intel 750),也有以特色设计凸显个性取向的型号(如影驰HOF SSD),今天我们评测的宇帷S100则更为特殊:它是首个会发光的SSD。
先来看一段关于宇帷S100的介绍视频:
带有LED呼吸灯或电离子管(模拟雷电)的宇帷内存产品令人印象深刻,去年的台北国际电脑展上宇帷首次展示了带有LED呼吸灯的SSD——宇帷S100。这次我们评测的是S100 240G型号。
S100的包装背面标注了主控型号为JMicron 670H,闪存类型为美光16nm MLC。由于增加了发光及导光部件,S100的厚度达到了14mm,无法安装在笔记本等有高度限制的硬盘位内,当然也不会有人将以LED呼吸灯光效作为亮点的S100安装到这些密闭空间内。
包装盒内除了SSD之外还有一根SATA数据线、一个2.5寸转3.5寸硬盘支架以及固定螺丝。
宇帷S100使用三明治结构,最外层黑色饰板与白色上盖嵌为一体,白色上盖下方位置有镂空处理的宇帷Logo。导光板凸起填充在上盖镂空位置,可传导LED灯光点亮Logo。SSD上盖与下盖中间夹着导光板,在除接口一侧外的其他三个侧面都可以有LED灯光露出。我们拿到的评测样品LED灯光为红色,除红色之外还有蓝、绿、白、橘其他四种颜色可选。
拧开最外层的两颗螺丝之后可以看到下方均匀导光板及LED发光组件,LED小电路板通过排线与SSD的PCB连接。
上层均匀导光板上的宇帷Logo是凸起的,正好填充在SSD上盖的镂空部位,这对上盖的加工精度有不小的要求。在制造和组装成本上宇帷S100会比普通SSD产品高出不少。
移除均匀导光板及LED发光部件层之后可以看到SSD PCB的背面有四颗美光L95B闪存颗粒,FBGA Code NW657,对应编号MT29F256G08CEECBH6-12,16nm MLC,单颗容量256Gb(32GB)。在宇帷S100 240G的PCB正反面共有8颗,组成256GB容量,扣除二级OP容量之后变为240GB规格。
为了固定多层结构,宇帷在S100的底壳上设计了多个固定螺丝位。在宇帷S100 240G PCB正面可以看到JMF670H主控、南亚DRAM缓存和另外四颗美光L95B闪存。
JMF 670H主控内建ARM9架构的32位CPU,支持四通道、每通道最大8CE,支持动态/静态磨损均衡,BCH纠错能力从JMF667H的40bit提升到72bit。JMF 670H的另外一个特点是支持SLC Cache,能够增强写入性能。
JMF670H这套方案能够支持USB接口,在电路板上有相关预留位置,其实就是相当于可以在SSD内部集成一个USB转SATA电路,外壳加上USB接口,整个SSD可以直接当移动硬盘使用。从PCB正面看,右下角的缺口是预留的Micro USB接口位置,靠近接口位置的芯片位是留给USB转SATA芯片的,不过宇帷没有用这个公版预设,而是通过排线将USB引出至LED呼吸灯模组上。
测试平台及信息识别
测试平台:
CPU:Intel Core i5 6600K@4.5Ghz(所有CPU节能特性关闭)
主板:技嘉Z170X-UD3
内存:芝奇DDR4 2800Mhz 4G*2
硬盘:金士顿HyperX Fury 240G(系统盘)
宇帷S100 240G(FW:AP001JB1)
系统:Windows 10 Pro 1511,10586
驱动:系统默认storahci
CrystalDiskInfo信息识别:
CrystalDiskInfo未识别出的SMART属性含义如下:
A7:SSD写保护模式,正常0,锁盘状态为1
A8:SATA PHY错误计数,正常应为0
A9:坏块计数
AD:擦除计数
B4:可用备用块计数
E7:SSD剩余寿命
E9:NAND写入量(扇区为单位)
EA:NAND读取量(扇区为单位)
A9、AD两项需使用16进制显示原始值,A9的原始值低位存储Die中最大坏块数量,中间位存储坏块总数,高位显示出厂后新增坏块计数。AD的当前值用于表达剩余可用标称写入量百分比,全新是200,原始值低位存储平均擦除计数,中间位存储最大擦除计数,高位存储最小擦除计数。
基准测试
基准测试1:TxBENCH测试
Txbench测得的持续读写速度达到了标称值。宇帷S100 240G应用了SLC Cache,Cache容量6GB,Cache用尽后写入速度为300MB/s。
基准测试2:PC Mark 7测试
基准测试3:PC Mark 8测试
宇帷S100 240G的PC Mark 8存储测试成绩为4964分,属于主流级SSD水平。
进阶测试
进阶测试项目1:4KB QD1 ~ QD32的 随机读写理论测试
此测试目的是为了试探SSD的并发优化程度和IOPS封顶数值。测试方法是全盘快速格式化后用Iometer 1.1 (Pseudo随机数据模型)填充满全盘LBA,然后测QD1 ~ QD128的读取数值,每项1分钟取平均值。写入部分则是全盘格式化后生成8GB LBA测试块。
进阶测试项目2:4KB QD32 随机写入离散度测试,时间5000秒。
测试方法是全盘快速格式化后用Iometer 1.1 (Pseudo随机数据模型)填充满全盘LBA,设置4KB QD32 , 4KB分区对齐,随机写入100%,1秒记录一次采样,5000个采样一共5000秒。
进阶测试项目3:PCMARK 8扩展存储测试之性能一致性部分(稳定态家用环境性能)
这个测试主要是给家用最恶劣环境下的性能参考(全盘不留任何剩余空间,禁用了Windows文件系统缓存跑纯RAW模式)。
在MLC闪存基础上应用SLC Cache的宇帷S100 240G在稳定态家用环境性能上表现一般,但通过性能恢复阶段的图形可看出在正常家用负载下宇帷S100的性能是非常出色的。
总结:
宇帷S100是一款特色鲜明的SSD产品,首创的LED呼吸灯元素为存储产品带来了不同寻常的个性化特征,为游戏玩家、机箱MOD爱好者提供了新的选择。宇帷S100使用JMF670H主控搭配美光L95B闪存并应用SLC Cache,日常家用性能表现良好,可充分满足桌面应用及场景娱乐需求。
|
本帖子中包含更多资源
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
|