春节期间OCZ在海外正式发布了Trion 150系列固态硬盘，国内市场也将在不久后发售。
Trion 150在Trion 100基础上保持主控硬件不变、更新15nm TLC闪存并优化了固件算法，从命名上可以看到它是作为Trion 100的中期改款产品。而实际上Trion 150不仅仅是闪存变了、贴纸更动感了这么简单，从固件算法的愈发成熟上说它更像是一个全新换代产品。
OCZ Trion 150的出厂固件版本为SAFZ12.2，与PHISON S10主控搭配东芝15nm TLC方案公版固件版本号SAFM12.2略有不同，应该是OCZ的定制固件。
OCZ Trion 150延续无螺丝卡扣设计，可从卡扣处撬开，但基本做不到无损开启，所以也就省去了累赘的保修贴。120GB容量版本的OCZ Trion 150使用单面PCB布局，所有芯片分布在同一侧。
闪存颗粒编号为TC58TEG7THLTA00，东芝15nm TLC，单颗容量16GB，8颗组成128GB规格，扣除OP容量后用户可用容量为120G。外置DRAM缓存来自南亚，编号为NT5CC128M16FP-DI，容量256MB。
主控打有东芝Logo，编号为TC58NC1000GSB-00，实际是PHISON PS3110-S10主控的定制版，与OCZ Trion 100上型号一致，但搭配的固件策略已有了极大进步。主控表面通过散热贴与外壳接触，增强热量传导能力。
OCZ Trion 150 240G容量版本使用的闪存编号与120GB版本一致，颗粒数量翻倍增加到16个，分布在PCB两面。
外置DRAM缓存同样来自南亚，编号为NT5CC128M16FP-DI，容量256MB。
480G容量版本使用的闪存编号为TC58TEG8THLTA20，东芝15nm TLC，单颗容量32GB，16颗组成512GB规格，扣除OP容量后用户可用容量为480G。
Trion 150 480G使用的DRAM缓存来自美光，编号为D9PXV，容量512MB。
测试平台及信息识别
测试平台：
CPU：Intel Core i5 6600K@4.5Ghz（所有CPU节能特性关闭）
主板：技嘉Z170X-UD3
内存：芝奇DDR4 2800Mhz 4G*2
硬盘：金士顿HyperX Fury 240G（系统盘）
OCZ Trion 150 120GB（FW：SAFZ12.2）
OCZ Trion 150 240GB（FW：SAFZ12.2）
OCZ Trion 150 480GB（FW：SAFZ12.2）
系统：Windows 10 Pro 1511,10586
驱动：系统默认Storahci
CrystalDiskInfo信息识别：
较新版本的CrystalDiskInfo已经能够完整识别OCZ Trion 150的各项SMART定义，Trion 150新增了主机写入量统计（F1项）。
OCZ在2月18日放出了SSD Guru的1.5.2312更新，在其中修正了Trion 150健康度显示的一些显示问题。
OCZ Trion 150的健康度百分比显示是与主机写入量直接关联的，根据容量不同，Trion 150的TBW标称值为30TB（120G）、60TB（240G）、120TB（480G）、240TB（960G）。以三年保修期计算折合每日建议写入量为27GB（120G）、55GB（240G）、110GB（480G）、219GB（960G），需要说明的是该建议写入量是指主机写入数据量，而非包含了写放大因素以后的颗粒写入量，所以还是完全能够满足家庭用户使用需求的，大家不必担心耐用度问题。
基准测试
基准测试1：TxBENCH测试
在优化后的固件策略下，SLC Cache容量增大并且SLC缓存用尽后的写入方式上也有了改进，表现在普通带宽测试软件当中就是所有容量版本都会有不错的表现，当然实际使用效果如何还是需要后边更多的测试来检验。
120G：
240G：
480G：
基准测试2：PC Mark 7测试
从PC Mark 7测试成绩来看，Trion 150进一步拉开了与闪迪加强版等无外置缓存MLC方案SSD的差距，未来TLC闪存SSD与乞丐级无外置缓存MLC方案之间的对撞也将更加激烈，从长远来看TLC闪存产品在入门级SSD中的份额将会不断提高。
120G：
240G：
480G：
基准测试3：PC Mark 8测试
在最近的PC Mark 8更新当中，存储测试组建从1.0升级到2.0版本，理论上不同版本的成绩将无法用来直接对比（包括标准存储测试与扩展存储测试）。在2.6.517版本当中修正了上个版本当中无法使用命令行运行ExpandedStorage扩展测试的BUG。
在表现日常家用、办公、设计应用性能的PC Mark 8存储测试当中，OCZ Trion 150同样获得不小的性能提升，可见固件改善是全方位的。当然我们必须承认Trion 150在性能方面依然是入门级水平，只是他的表现已经超出了一些低端MLC闪存SSD产品。
120G：
240G：
480G：
进阶测试
进阶测试项目1：4KB QD1 ~ QD32的 随机读写理论测试
此测试目的是为了试探SSD的并发优化程度和IOPS封顶数值。测试方法是全盘快速格式化后用Iometer 1.1 （Pseudo随机数据模型）填充满全盘LBA，然后测QD1 ~ QD32的读取数值，每项1分钟取平均值。写入部分则是全盘格式化后生成8GB LBA测试块。
进阶测试项目2：4KB QD32 随机写入离散度测试，时间5000秒。
测试方法是全盘快速格式化后用Iometer 1.1 （Pseudo随机数据模型）填充满全盘LBA，设置4KB QD32 ， 4KB分区对齐，随机写入100%，1秒记录一次采样，5000个采样一共5000秒。
稳定态平均IOPS随容量提升而提高，但三个容量的稳定态离散度表现都不好，当然对于家用入门级SSD产品来说，稳定态是用户使用中不会遇到的情景，因而影响不大。
进阶测试项目3：PCMARK 8扩展存储测试之性能一致性部分（稳定态家用环境性能）
这个测试主要是给家用最恶劣环境下的性能参考（全盘不留任何剩余空间，禁用了Windows文件系统缓存跑纯RAW模式）。
OCZ Trion 150 480G在PC Mark 8扩展存储测试中的成绩出乎意料，我们会在稍晚些时候对其进行更多测试。
总结：
作为Trion 100的接替者，Trion 150应用了新制程闪存与全新的固件算法。以往大家对于闪存制程更替是负面消极情绪占主导，其中既有对新制程闪存耐用程度下降的担忧，也有对性能表现轻微降低的不满。而Trion 150在基础性能标称与耐用度指标上都延续了Trion 100的水平，并且通过全新的固件调教实现了相对前作的性能提升，无疑是Trion 100系列的合格接班人。
与Trion 100的同容量对比测试以及耐久度测试会在稍后进行，敬请关注。
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