SanDisk公司简单介绍
SanDisk闪迪是全球知名的闪存存储卡制造商，《财富》500强与标准普尔500指数企业。闪迪于1988年创立，27年来，闪迪一直致力于扩展存储 的可能性。从硅谷的一家三人创办公司起步，逐渐壮大成为世界性品牌。如今在全球众多大型数据中心、移动设备和电子产品以及全球成千上万家零售商店中都可以 看到闪迪的存储产品身影。在技术领域，闪迪在世界各地拥有接近 5,000 项专利，并且还在不断创新。
在闪存技术上，闪迪和东芝在一直有着交互协议，这两家大公司合资兴建有晶圆工厂，所以说闪迪拥有自主闪存颗粒资源。即使在目前全新的合资晶圆工厂产能没全开的情况下，两家公司依然占据了全球闪存市场的半壁江山。另外在32nm闪存工艺之前，2家公司的产品本质上除了各自的编号定义外是没有任何区别的，不过在 32nm闪存工艺后，东芝和闪迪各自在产品特性上有了少许区别。
本次测试的固态硬盘和理论介绍
本次PCEVA将要评测的是推出已经有段时间的闪迪家用旗舰产品 - 闪迪至尊超极速 （SanDisk Extreme Pro）480GB容量
包装盒内有闪迪至尊超极速SSD，7mm转9.5mm的转接框，产品说明和保修手册。
盘后标贴显示480GB，5V 供电，电流1.6A，中国产。
硬件拆解：
4颗螺丝在背后标贴的4个角下方，拆出来后发现PCB背面没有任何元件（上代旗舰闪迪至尊极速SanDisk Extreme II背后都是电容空焊位），只保留了工厂测试用针脚。正面壳子下方有导热胶，会紧贴主控，缓存和闪存，以便于尽快将SSD内部热量传导至外部，用于降低内 部工作温度。
从PCB正面图片可以看到闪迪在主控以及外置缓存的四个边角上使用了灌黑胶的做法，这样可以降低因冷热循环而导致锡球脱焊的风险，一般来说消费级产品很少看到这类做法，军工产品上会经常看到。PCB上有个贴纸最后4位显示了实际颗粒总容量为512GB。
闪迪至尊超极速480GB固态硬盘采用的主控、外置缓存和闪存颗粒主要特征：
外置缓存采用的是镁光D9QNS，1.35V DDR3L 1600 CL-11 512MB。提供了1MB：1GB的缓存/闪存映射表比率，保证了随机性能。
主控和上代旗舰闪迪至尊极速相同，依旧为代号"Monet"的Marvell 88SS9187，主控的闪存接口支持8通道，每通道200MT/s带宽，每根通道硬件支持4CE。支持增强型BCH ECC纠错，元数据支持独立ECC。缓存容量最大支持到DDR3 1GB，支持适应性读写机制，支持DevSleep。不过听说闪迪对这个主控进行了小幅超频。
1ynm 64Gb eX2 2Plane ABL MLC NAND
闪存厂商自己产品用的颗粒都精挑细选过，SanDisk也不例外，自家产品的编号和卖给客户的产品编号规则不同，需要扫码才知道真实身份和品质。相比上代旗舰闪迪至尊极速，这次的闪迪至尊超极速的颗粒制程从1xnm 64Gb eX2 2Plane ABL MLC NAND变更为1ynm 64Gb eX2 2Plane ABL MLC NAND（类似于Toshiba的A19nm制程），支持Toggle 2.0接口400MT/s，ECC基本要求为40bit/1KB，Page尺寸16KB，Block包含256个Page等于4MB，2个Plane。 480GB的SSD由8个颗粒组成，每个颗粒内部是8个(64Gb)Die，64GB单颗，总容量512GB（13% OP后用户可用容量480GB）
ABL架构的解析:
ABL全称（All bit line），意思是在MLC的每根位线上都有连接到检测放大器，而检测放大器则是和页缓存互联的，所以可以单双页同时传输数据，因此这个技术能够大量提升MLC的写入性能，据测试基本接近2倍，而且相比传统HBL架构，在工作时闪存和闪存之间的干扰也降低了许多。之前的MLC架构是单/双位线共享单个检测放大器，也就是HBL（Half bit line）
先让我们回顾下前代nCache的特点：
1. nCache用MLC模拟SLC的方式做为不怕掉电的缓冲区， nCache区只会缓冲随机数据（即使这个数据是1MB大小，但是只要是随机的，它就缓冲），相反不会缓冲持续数据（即使这个数据只有4KB，也不缓冲）。
2. 用MLC模拟SLC后，耐久度根据理论可以上升n倍以上，间接的等于是一层“防护盾”的形态。SanDisk用这层“防护盾”来抵御最容易增加写放大和消耗性能的随机写入。
3. 等到“防护盾”吸收了这部分难处理的数据后，再通过后台释放到“后勤部”（空闲的MLC 闪存），这个释放动作是后台的，用户不会有任何感觉，而且这个释放是持续的，也就是说写放大能够被控制在最小范围，使得“后勤部”在之后的垃圾回收中也能 够处理的更轻松，减少了写放大。
那么到底这个nCache是增加了写放大还是降低了写放大呢？不好说，我只能说SanDisk巧妙的在没有物理分层（物理上非SLC和MLC 两种颗粒）的架构上进行了逻辑分层（逻辑上确立了SLC/MLC的分层和职能）。等于是用盾牌（nCache）去防御敌人（主机请求）最猛烈的进攻（随机 写入），理论上来说是一种保证一定性能（针对家用级）和提高耐久度的做法。nCache等于是一个把多个4KB的随机小数据合并重组后高速释放入颗粒4MB大小的Block的桥梁。
闪迪至尊超极速的 nCache Pro 技术特性介绍：
nCache Pro相比前代nCache，在SLC缓存区域针对所有的用户数据进行了读写平衡优化，能够带来更好的离散平衡表现。
1、当MLC的闪存工作在SLC缓存模式下的时候，万一突发掉电，主控在紧急模式下能够更快的把关键数据写入到SLC缓存区域，还能避免MLC闪存的Lower Page出错问题，可以明显降低变砖率。
2、当MLC的闪存工作在SLC缓存模式下的时候，不但性能会提高，耐久度也可以提高大约5-10倍。SanDisk的nCache Pro中SLC缓存区域容量在1GB以内，对于更大容量的型号也没有增加，所以需要采用全局静态磨损平衡，SLC/MLC自适应切换才能够保证MLC耐久 度没用完前SLC区域的闪存没先磨损完。针对SLC/MLC的写入造成对闪存磨损的区别，需要在Smart里放入2套P/E，一个是SLC的P/E，一个 是MLC的P/E。
3、当MLC的闪存工作在SLC缓存模式下的时候，需要的ECC需求也被降低了，在SSD的闪存磨损后期，可以把不能当成MLC用的闪存（错误太多，ECC纠错不能）回收并切换成SLC缓存模式使用提高利用率，虽然可用容量减半，但是比直接标记坏块来说划算。
DEVSLP电源管理的解析：
DEVSLP也叫DevSleep，它是SATA 3.2规范新加入的特性，规定了在这种模式下设备功耗不超过5mW。那么什么是DevSleep？进入DevSleep模式对硬件和软件有什么要求？DevSleep有什么缺点？
节能电源管理模式，其中分为Link Power Management (LPM链路电源管理，设备物理层进入降功耗状态)和Device Power Management（DPM设备电源管理，也叫core电源管理，是设备受主机或者时间设置控制功耗）。其中LPM里面分为：HIPM，DIPM和新加入的DevSleep。而 DPM则分为：idle，Standby，Sleep和RTD3。
之前SATA规范中链路电源管理拥有2种节能模式，一种是Partial模式，在这种模式下设备会关闭一部分电路，耗电量下降至100mW，恢复到运行状态需要10微妙，另一种是Slumber模式，在这种模式下会关闭更多的电路，耗电量下降至10~100mW，而恢复到运行状态需要10毫秒的时间。最新的SATA 3.2规范新加入的DevSleep模式则是除了必要电路外的所有部分完全断电，耗电量最高不超过5mW，恢复到运行状态的速度则控制在20毫秒以下。
SATA规范和当前大多数的芯片组都支持2个低功耗状态：（LPM）
1.Active：全功耗满速运行，无唤醒延迟。
2.Partial：运行的时候稍有节制的控制功耗，唤醒的速度非常快，不需要结合设备电源管理。
3.Slumber or Standby：更好的节约耗电，唤醒时间稍慢，可能要结合设备电源管理。
控制方法包含：
HIPM（主机启动电源管理）：主机检测设备运行状态，并发起节能的请求使设备进入节能状态。（芯片或者驱动检测到设备没工作时发动请求让设备进入此模式）
DIPM（设备启动电源管理）：设备自己根据非满速运行状态的时间设定间歇的进入节能状态降低功耗。（设备没工作或者根据运行时间进入此模式）
新增的DevSleep（设备睡眠）：由主机向设备发送OOB信号，使设备进入此状态，系统要支持此模式，必须设备本身，主机总线适配器和系统BIOS，系统驱动程序都需要全部支持。
DPM/Core电源管理：
SATA规范和电源管理支持4个状态：
1.idle，Standby，Sleep和RTD3。需要根据不同指令让设备进入各种状态或者由主机设备时间间隔进入。
2.每种设备根据自身的硬件条件，进入各种状态的延迟会有比较大的不同。
3.在运行模式下设备依然可能进入节能状态。
如图所示：只要Link为Off，则都叫做DevSleep，但是唤醒延迟和功耗却还是不同取决于Core Power，Core Power的节能则是厂商根据自身硬件定义的，每个产品都会不同， 设备总耗电的计算公式如下：
Total Power ≈ Regulator Efficiency * (Link Power + Core Power + Peripheral Power)
在DevSleep模式下，Link Power = 0
在RTD3模式下，Total Power = 0
Core Power 取决于硬件设计
Peripheral Power 的多少取决于外围元件，例如闪存芯片多少，LED灯等。
进入DevSleep模式对硬件和软件有什么要求？
如图，左边是主机，右边是设备，LPM由主机发起，而DPM有设备支持。之前的节能情况是通过SATA数据线传输信号，通过主机向设备发送节能请求，使设备进入各种运行状态，在这种情况下意味着不管是主机的控制芯片还是设备都要保证一定能源消耗来互相交流信号。而DevSleep通过在电源口的 Pin3定义了一组信号使设备进入节能模式，这样一来就可以完全停掉主机这边芯片和设备的PHY区域达到超级节能的目的，要激活设备只需要通过电源那里发送信号即可。
闪迪至尊超极速固态硬盘支持DEVSLP 超低功耗模式，在SSD待机时能够完全切断SATA物理总线，相比之前的SATA低功耗模式（Slumber）更省电，进入真正的超低功耗模式，对移动平台电池的持久时间起到添砖加瓦的作用。（注：此功能同时也需要主板芯片组支持）
高热节流技术解析：
当闪迪至尊超极速固态硬盘的操作温度高于官标时，高热节流模式会被激活，SSD会禁用部分Die来迅速降低运行功耗来达到降低发热的目的，这个技术在一些突发状况和恶劣环境下显得非常有意义。
让我们正式进入测试环节：
测试平台：
CPU：Intel Core i5-2500（节能关闭）
主板：技嘉P67A-UD4-B3
内存：Kingston DDR3-1600 4GB x 2
系统盘：Intel 520 120GB
系统：Windows 8.1 Pro 64-bit update 1
磁盘控制器驱动：微软默认Storachi
闪迪新版Dashboard工具箱功能比较全，广告也不少的样子。从Smart信息来看，测试做完后全盘写入21259GB数据，磨损度目前消耗了2.33%，有些Smart值被隐藏了。
因此打开CDI来看一下，可以发现多了很多信息（记得把RAW切换成Dec 1byte )，AD = 70，磨损2.33%，那么官标P/E就是3000。70 X 480GB / 21259GB = 1.58 写放大，非常不错。（注：目前市场上所有SLC缓存模式的SSD，其中SLC缓存的写入量是不计算的。）
基准测试：
TxBENCH 和 ASSSD
基准测试里闪迪至尊超极速和别家采用相同主控的成绩差距不大，算是SATA接口SSD的旗舰级水准，反正这部分测试我觉得最大的用处就是满足大家的攀比心里而已，只要我超个频，装个Intel RST驱动，分数立马再上去200分，你懂的。
PCMark 7
PCMARK 7压力已经显得偏小，成绩其实也有很多水分了，就像PCMark Vantage 适合机械盘，PCMARK 7适合跑那些早期SATA 3.0 Gb/s的SSD，顶级的SSD一般在5500分附近，闪迪至尊超极速这里表现一般。
PCMark 8
PCMARK 8的分数算是目前最难提高的了，目前SATA 接口的SSD成绩到顶也就5000附近，这个成绩相比上代闪迪至尊极速提高了30分，看来主控频率提升和固件的优化确实起到了一定的作用。
进阶测试：
QD深度对随机4KB/8KB/16KB/32KB/64KB/128KB/256KB/1MB读写造成的影响（8GB LBA范围）
这个测试主要是给不同QD分布下的随机读写带宽参考。闪迪至尊超极速的随机读取随着QD提高稳步上升，随机写入的最大吞吐力在450MB/s附近，4KB块最大超不过300MB/s，这是被主控能力所限，如果是配的 88SS9189主控（频率高那么点儿）的话就可能勉强能破300MB/s了。
离散分布测试（IOMETER测试大约5000秒）
这个测试主要是给线上交易处理环境等对写入延迟有苛刻需求的做参考。一上来的400秒内区域是OP区内的写入（不需要垃圾回收，有足够的空白块可以写 入），一上来的几十秒是nCache Pro的缓存被攻破和切换到纯MLC模式的时间，主控然后直接切换到纯MLC写入，在MLC的OP区域用完后，也就是400秒之后，主控需要边进行垃圾回 收，边写入数据。闪迪至尊超极速的离散曲线平稳，表明主控固件对新进入的数据和内部数据的操作能够得心应手，不会出现卡顿，最大和最小延迟控制的非常到位，这个测试表现平衡的话 （最高和最低点差距越小），对抗掉电能力也是有帮助的，试想一下如果掉电时主控正在进行垃圾回收，新请求写入的数据在缓存排队写不进，卡在那里的时间越长 的话，风险自然就越大了。但是对于家用SSD来说，这种测试成绩的高低到没什么意义，谁没事对自己的SSD来回跑4KB写入测试呢？对这类性能有要求的 SSD耐久度也肯定是用eMLC级别的企业级，不然没几天耐久度就用完了。
PCMARK 8扩展存储测试之性能一致性部分（稳定态家用环境性能）
这个测试主要是给家用最恶劣环境下的性能参考（全盘不留任何剩余空间，禁用了windows文件系统缓存跑纯RAW模式）。例如图中一直不到100的浦科 特三兄弟（写入高压下惨不忍睹），在性能恢复过程时爆发力突然打了鸡血一样的840 evo（不承认也得承认，确实是为跑分而生的跑分神器，实际使用渣一样），120G和240G组形影不离的OCZ消费级（性能平稳）。除了三星外，这里大 家都是SATA接口并且有Marvell血统和东芝/闪迪闪存颗粒，但是因为各自固件的区别造成了性能完全不同的表现，可以看到闪迪至尊超极速的表现一只独秀，只是在恢复阶段有输给了容量大一倍的“跑分星”TLC颗粒SLC缓存开挂模式。
固态硬盘SNIA标准测试 - 测试数据按照SNIA的4个标准测试，分别是WSAT/IOPS/TP/LAT。
测试平台：
CPU：Intel Core i5-2500（节能关闭）
主板：技嘉P67A-UD4-B3
内存：Kingston DDR3-1600 4GB x 2
系统盘：Mtron Mobi 3000 32GB SLC
系统：Ubuntu 14.04.1 LTS & Kernel Version: 3.13.0-46-generic
测试软件： FIO-2.1.3
WSAT (Write Saturation) Test
测试步骤如下：
先对SSD做一次SE恢复出厂态，然后进行2 Jobs / 16 Iodepth的Direct I/O （无文件系统缓存）4KB 随机写入测试，直到写满4次全盘容量或者24小时（取决于哪个先到）。
测试目的： 观察测试SSD的平均IOPS和平均延迟浮动情况，可以清晰的看出SSD厂商的标称值有多少水分，比如IOPS up to xxxx
图中每个Round为60秒，经过200分钟不到写满了4倍全盘容量，可以看到除了一开始的nCache Pro干扰外，整个盘的性能表现非常平稳，平均IOPS在4万不到。
IOPS (I/Os per Second) Test
测试步骤如下：
先对SSD做一次SE恢复出厂态，然后进行2 Jobs / 16 Iodepth的Direct I/O （无文件系统缓存）128KB持续写入填2次全盘容量，再进行2 Jobs / 16 Iodepth的随机读写混合测试，一共56组每组测试1分钟，最长进行25轮（24小时）或者到达稳定态为止。（稳定态有判定公式）
测试目的：观察测试SSD的在各种混合读写比率下的稳定态IOPS，根据这些IOPS可以清楚的了解特定环境下的SSD性能，比如联机事务处理（OLTP）环境常见的访问方式是8KB块，而随机读写比率为65/35，通过查表即可很轻易的知道稳定态性能。
这个测试垃圾回收的负担很重，1MB块的随机写竟然跌到了121MB/s，持续读取和4KB随机读取倒是没受到影响。
TP (Throughput) Test
测试步骤如下：
先对SSD做一次SE恢复出厂态，然后进行2 Jobs / 16 Iodepth的Direct I/O （无文件系统缓存）持续读和持续写带宽测试（不同块大小，多轮测试判断稳定态）
测试目的： 观察测试SSD在各种块大小下的持续读写性能，可以清晰的看出SSD厂商的标称值有多少水分，比如带宽 up to xxxMB/s
稳定态下不同数据块的带宽测试，可以看到固件对4KB读取有进行优化，另外从4KB和8KB读写带宽判定映射表是4KB映射，还有就是稳定态下持续1MB写入速度跌到230多MB/s。
LAT (Latency) Test
测试步骤如下：
先对SSD做一次SE恢复出厂态，然后进行2 Jobs / 16 Iodepth的Direct I/O （无文件系统缓存）128KB持续写入填2次全盘容量，再进行1 Jobs / 1 Iodepth的随机读写混合测试，一共9组每组测试1分钟，最长进行25轮（225分钟）或者到达稳定态为止。（稳定态有判定公式）
测试目的：观察测试SSD的在各种混合读写比率下的稳定态平均和最大延迟，由于设置在Job和Iodepth都为1的情况下测试，可以清晰得知SSD在无队列情况下的延迟表现，最大延迟数值考验SSD的Qos。
延迟测试在第8回合进入了稳定态，各区块的最大写入延迟和混合延迟表现不错，512B和4KB的最大读取延迟表现很好但是8KB的最大读取延迟偏高。
个人心得：家用环境下使用的SSD需要什么，这么多年玩SSD的经验告诉我，那就是上手易、速度够、品质好、保修牛这12字真言。SATA的SSD你追求什么极限速度？限制摆在那里了，用起来都差不多。但是，给我一块PCIe的SSD，我首先要担心的是能否引导系统，开机自检的时间可能比SATA的更长，真正需要复制文件拉开速度的时候发觉价格贵买不起大容量的装不下多少文件，又发现没有匹配速度的SSD给他搬运数据显示出速度优势，终于那么繁琐的问题都搞定了之后也没心情去好好用了，再说更新换代也快，价格嗖嗖嗖的往下跌就看你心理承受能力了。品质这东西是真的看厂商实力，产品的用心程度和开发周期的长短，是否有自己生产闪存的能力或者只选用原厂闪存，产品品控的长时期风评如何，是否有配套易用的工具软件。我也不爱追新，用老主控的新品我反而更待见，固件健壮性理论更有保障，变砖率降低不少。最后也是最重要的一点，谁也不希望真的需要用到保修，但是当SSD真正发生故障的时候，也就是你心情最差的时候，如果保修方便的话确实也算一件幸事。
关于闪迪至尊超极速 10年保修的细节问题：
闪迪和Intel的SSD一直全球联保这点算是大家的共识，但是闪迪对商用和家用2个体系的产品会有不同的保修标准。
闪迪的商用产品保修标准是按照产品官标耐久度DWPD、S.M.A.R.T.(E6h/230 颗粒磨损值)的值达到100%或者保修年限哪个先到达为准。具体每款产品可以看这个链接：http://www.sandisk.cn/about-sandisk/commercial-product-warranty-policy/
闪迪的家用产品保修标准可以参考这个链接：http://www.sandisk.cn/about-sandisk/warranty-and-user-guides/warranty-table/ 可以看到保修年限后没有任何标点符号，也就是没有任何附加条款。鉴于海外不少评测网站里有些说写入到80TBW数据量后就不能保修是错误的信息，因为闪迪至尊超极速SSD是做为旗舰产品，使用对象是发烧友和高端玩家，官方既然宣传可24 X 7小时使用，那么10年保修80TBW等于每天只有22GB的写入量就显得太小了，不符合这个产品的定位，经过和闪迪售后部门沟通，得到如下确认信息：我们的承诺的80TBW是最小读写量，和售后服务完全没有关系，如果客户在10年内，只要是非人为损坏，不管是否到达80TBW，都可以获得保修。
这里我要给闪迪的保修点 “ 赞 “ ，相比竞争对手三星的850 Pro 3D VNAND旗舰SATA产品只给150TBW/300TBW的写入量来说，真是厚道多了。既然都说道这份上了，我不如直接再点破好了，看的更清晰明白。
VS
三星的3D VNAND 850 Pro旗舰号称能够带来性能，耐久度，容量的提升，都是优点没有缺点。
结果性能被SATA 6G接口限制，PCIe的产品却不采用3D VNAND。
耐久度标称不厚道，10年保修根本不如闪迪同等产品。
买的到的容量最大1TB，闪迪的19nm 2D MLC NAND一样可以做到960GB。
2个旗舰产品相比，三星价格也没有显示出优势。
既然这样的话，冲着三星的3D VNAND买单做什么？冲着所谓的SATA接口跑分王？那个虚无缥缈的宣传幻灯片中所谓的35000 P/E？那个限制TBW和非全球性的所谓10年保修？想做小白鼠追新并尝试下3D闪存的固件健壮性？还是说因为只买贵的？
产品报告总结：
优点：
1、nCache Pro技术日常家用优化到位，离散表现非常不错。
2、闪迪工具箱功能齐全，升级固件也简单方便。
3、使用成本较高的64Gb Die，保证了最低容量型号的高速度。
4、支持DevSlep。
5、闪迪SSD可以使用专用版Apricorn® EZ Gig IV软件进行老硬盘的数据迁移。
6、闪迪原厂颗粒品质保证。
7、“真”10年全球联保，业界良心。
不足：
1、如果能够加入掉电保护就更好了。
2、缺少支持硬件加密。
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当时就是纠结730合适ex pro，最后还是入了730.不过有机会还是想入块闪迪的盘，真的感觉很良心的企业
10年里能用到3年已经非常碉堡了，特别是能看到这篇文章的人
其实SSD也没啥复杂的，估过段时间某些厂商终身保修都要上了，当然是卡TBW的
