840Evo新版修复旧文件读取掉速问题固件再遇新问题

浴大，我刚买了个二手的M6S，SMART查看AD和B1都是9，F1和F2都是0，估计是写了1.125G。想问下，重新分区，准备预留25%做OP空间。这种情况，需要用软件全盘擦除吗？

gdxsh 发表于 2015-5-13 13:58
浴大，我刚买了个二手的M6S，SMART查看AD和B1都是9，F1和F2都是0，估计是写了1.125G。想问下，重新分区，准 ...

设OP前必须做SE。

想问一下850evo同样也是tlc，为什么没有收到掉速的影响，是采用了V nand的原因吗？

灰之影 发表于 2015-5-13 23:45
想问一下850evo同样也是tlc，为什么没有收到掉速的影响，是采用了V nand的原因吗？ ...

Only time will tell

neeyuese 发表于 2015-5-13 22:49
Only time will tell

浴室大神，我想问下在win8.1中是否也存在这样的问题呢？

灰之影 发表于 2015-5-13 21:45
想问一下850evo同样也是tlc，为什么没有收到掉速的影响，是采用了V nand的原因吗？ ...

850 evo用的已经不是浮栅，改为了CT，而且制程也换回了旧制程，电荷存储能力比840和evo改善了很多，三星自己也坦言850evo的闪存在读取时误码率非常的低，就算是用比较低的ecc也可以正常工作

桑星大法好啊，桑星大法好！自从830之后就再也瞧不起桑星了，我看还能忽悠多久

dboy99 发表于 2015-5-15 16:37
850 evo用的已经不是浮栅，改为了CT，而且制程也换回了旧制程，电荷存储能力比840和evo改善了很多，三星 ...

三星的3D VNAND是固件开发部门把皮球踢给了半导体部门（你看，你这硬件这么烂，我已经没法继续做出像样的固件啦。），然后半导体部门克服重重困难，不负众望,开发出了3D VNAND硬件，从硬件指标上来说相比之前的1xnm 2D NAND改变很大，基本都是优点。

但是.....因为3D VNAND的纠错算法和以前的2D NAND纠错算法产生了较大的变化，三星不愿意透露，但是从目前别的厂商的datasheet里看到ECC的需求看来不降反升，而且我觉得架构的改变从软件层面上会不会出现更多的隐患目前还不清楚，虽说这一步总要有人跨出去，不过小白鼠我是不愿意做的。

另外不要拿3D NAND的40nm和2D NAND的40nm做比较，这是不正确的。举个最简单的例子，32层高楼倒下去产生的破坏和矮平房倒下去产生的破坏是一样的么？╮(╯▽╰)╭

过不了多久~隔壁又要攻击浴室大大了了嘿嘿~

这个美女真厉害

丧门星的东西 特别是SSD是不敢买了。。。