网上经常有人调侃俄罗斯人民是战斗民族，印度人民是开挂民族。而在亚运会羽毛球比赛运用调整空调手段来影响比赛条件之后，韩国人民也被冠之以作弊民族的封号。现在，地球已经无法阻止作弊民族的疯狂作弊了，小到SSD测试也已经被韩国人彻底玩坏了，840Evo的4K读取成绩竟然是假的：http://bbs.pceva.com.cn/thread-98809-1-1.html。
其实我不是想搞地域攻击，即便是用空调打球，那也是韩国人智慧的表现，合理利用一切漏洞获让自己获得最大利益。说难听点这叫耍小聪明，不过耍小聪明如果还能做到不被人发现的话，那就成了大智慧…很少有人会质疑840Evo的跑分是不是真做了手脚，三星在这点上是非常成功的。
最近看到很多850Evo的新闻，想必850Evo已经通过他惊艳的跑分再次打动了不少人的心。不过细心人可能会发现哪里不对：850Evo 500G AS跑分超越850Pro 1TB
http://www.guru3d.com/articles_pages/samsung_850_evo_ssd_review,16.html
难道TLC有“制度优势”，“3bit MLC”性能居然会比850Pro还要高？难道三星是傻子，放任自己低端产品的性能秒掉自己的旗舰？三星这样精明的公司绝不会做出大水冲掉龙王庙的事情，一分价钱一分货是永恒不变的真理。虽然850Evo还没有在国内上市，不过我们可以先用840Evo来进行下检验，看看“跑分Evo”的跑分成绩究竟有多少水分，等850Evo开卖后不妨再看看新一代跑分王又是如何做到掩人耳目的。
对SSD有所了解的朋友可能会第一时间给出840Evo跑分高的原因：这是SLC Cache的作用，Evo在某些测试里速度快过Pro就是SLC加速了。这的确是一个不错的解释，使用SLC模式的东芝SSD同样在很多Benchmark中获取靠前的位置，SLC模式似乎正是提升跑分的重要手段。不过且慢，SLC Cache的机制是在提升写入性能，写入压力一停就会尽可能快释放缓存，将数据写回TLC形态。那么对于读取操作而言，SLC Cahce是起不到加速效果的：因为缓存内的数据在主机写入后很快就释放掉了，没有缓存，如何能给读取加速？
我说840Evo在作弊，大家可能认为我之前的那个帖子里只提到4K单线程作弊还不够有说服力，那么我就尽可能的多抖搂一些840Evo跑分作弊的证据出来，让大家看个够…虽然AS SSD Benchmark评分一再被判定为没有很高参考价值，但是对于很多小白来说，除了跑AS还真没什么好的SSD测试方法，那今天就从840Evo的AS SSD Benchmark评分测起，看看在打掉作弊之后，840Evo读取性能究竟几何。
参考资料：
AS SSD Benchmark的测试方式：
http://bbs.pceva.com.cn/thread-37373-1-1.html
SLC Cache原本只能提升写入性能，无法提升使用中的读取性能，而三星的作弊导致了840Evo读取测试的虚高。先把840Evo作弊成绩放出来，大家可以先猜下其中水分几何。测试环境是Core i5 3570K 4.2Ghz，关闭CPU节能，关闭LPM节能，挂从盘测试，给跑高分创造最好条件。
AS测试第一项：持续读写速度
AS SSD Benchmark测试机制：先以16MB区块，持续向受测分区写入生成1个达到1GB大小的文件，然后再以同样的区块尺寸读取这个测试文件，最后计算平均成绩而给出结果。
写入数据会被SLC缓存掉，840Evo延缓释放缓存应付测试软件随后马上进行的读取，所以读取测试的速度有可能被作弊。
预先写入1GB的测试文件，停30秒后再开始读取测试，测试区块选择和AS相同的16M持续读取：
结果840Evo不作弊条件下的持续读取速度不过472MB/s而已，也就是入门级JMF667H主控固态硬盘的水平。别让AS跑分再欺骗你的眼睛了，作弊星早把这套玩坏了。
AS测试第二项：4K单线程随机读写
AS SSD Benchmark测试机制：以512KB的单位尺寸生成1GB大小的测试文件，然后在其地址范围（LBA）内进行随机4KB单位尺寸进行写入及读取测试，直到跑遍这个范围为止，最后同样计算平均成绩给出结果。同样是先写入后马上进行读取，这1GB的测试文件全部进入了840Evo的SLC区域，正好中了840Evo的圈套，4K随机读取成绩有可能被作弊，这一点已经被我之前的测试所印证：http://bbs.pceva.com.cn/thread-98809-1-1.html
不作弊的话840Evo这位同学的4K随机读取速度36.66MB/s，这是在挂副盘情况下测得的，如果是系统盘的话受背景IO影响实际性能会比这个更低。别管你AS SSD Benchmark能跑出四十几兆的成绩来，实际都是注水的，有什么意思？
AS测试第三项：4K 64线程随机读写
AS SSD Benchmark测试机制：生成64个16MB大小的测试文件（共计1GB），然后同时以4KB的单位尺寸，同时在这64个文件中进行写入和读取测试，最后依然以平均成绩为结果。
因为无法同时运行多个IOmeter，所以我们只能利用现有的AS SSD Benchmark来完成反作弊测试。首先请大家看下面的这张图，HDTune文件基准测试，8GB区块。在3GB的SLC Cache区域用完后，写入速度下降到TLC的真实水平，下降后的写入曲线非常平直，这预示着在SLC缓冲区写满之后，如果写入压力持续存在，840Evo不会急于释放缓冲区，这部分写入的数据会延缓释放仍旧保持在缓冲里，HDTune在写入完成后立刻开始了读取测试，所以对应告诉写入曲线的地方，读取曲线也是平直的非常稳定，且比后边没缓冲的部分读取速度要高一些。
那么既然缓冲区满了后840Evo就不会继续吃缓存了，缓存也不会马上释放导致影响读写性能，那么我们就可以设法先把840Evo的缓冲区给他填满，然后再测AS SSDBenchmark的4K 64Thrd项目，这样AS的测试文件就不会落入SLC作弊陷阱。
具体方法是：先开始运行HDTune的文件基准测试，这时HDTune会向840Evo进行持续写入，这部分数据全部进入了SLC缓存，当840Evo的SLC缓存区域被填满后，就不再缓存了。这个时候开始AS SSD Benchmark的4K 64Thrd测试，因为缓冲区已满，AS的测试文件不会被作弊干扰。
AS SSD Benchmark的4K 64Thrd开始写入后，就停止HDTune的写入，因为对于840Evo的写入压力没有停，840Evo会选择继续暂缓释放缓存，缓存区的内容依旧是HDTune最初写入的3GB数据，AS SSD Benchmark的测试文件无缘进入缓存，也就保证了接下来AS SSD Benchmark的4K 64Thrd读取测试的准确性。同时因为测4K 64Thrd的时候是没有其他读写IO干扰的，测出的成绩是真实的，没有被刻意压低的。测试结果如下：排除作弊干扰之后，840Evo 120G运行AS SSD Benchmark 4K-64Thrd的真实成绩应为228.74MB/s，而不是之前作弊出的326.51MB/s，由于在AS评分中4K-64Thrd速度要乘以1.5算入总分，这个差距对于最终总分的影响那是相当大了。
结果以上测试，最终发现3项读取测试成绩都不同程度地受到了三星作弊手法的影响：
写到这里我索性就用AS测试第三项的方法来分布跑一次完整的无作弊分数，成绩仅供娱乐：
Step1：
Step2：
Step3：
上边的测试中HDTune文件基准测试的目的是写入3GB数据占满840Evo的SLC缓冲区使其无法缓存作弊，开始AS单项测试后立刻停止HDTune的写入避免影响AS成绩。当然这样测的话写入速度也就成了TLC的实际水准（实际家用的话我认为SLC模式的写入性能提升效果应该还是有的）。
如果840Evo 120G不使用SLC模式，只怕这个跑分是无法支撑起他449的售价的，再考虑TLC成本优势，网友或许会认为只值349吧~
最后还是那句话，跑分已经被三星玩坏了。在手机方面三星的作弊就被各个权威机构拉入黑名单，跑分不予展示和对比，而在SSD测试方面三星的作弊显然没有遇到什么阻力，不过也是时候看看三星到底给840Evo注了多少水。换了闪存和主控的850Evo水分又会有多少呢，一起期待吧。
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三桑你就不能做绝一点，直接来个白名单么
S37有啥好的，ASSSD跑分那么烂
