SK Hynix宣布176层4D闪存
韩国内存和闪存制造商SK Hynix刚刚宣布了新一代176层堆叠4D NAND闪存，并于近期开始向SSD主控公司交付芯片样品。SK Hynix新一代176层堆叠TLC闪存的单die容量依然是512Gb，不过由于芯片面积减小，存储密度得到提升，相应的制造成本也会更优。SK Hynix表示新闪存的位产出率相比上代产品提高了35%。此外，新闪存单元的读取速度提高20%、闪存接口提速33%达到1600MT，有助于进一步提升PCIe 4.0固态硬盘的性能。
4D NAND是SK Hynix对采用了PUC（Peri Under Cell）技术闪存的称呼。SK Hynix从96层堆叠开始使用这项技术，它将闪存芯片当中的附属电路置于闪存阵列下方，从而缩小芯片面积并提高晶圆的位产出率。与之类似的技术还有CuA（美光）、Xstacking（长江存储）等。
今年10月份SK Hynix刚刚宣布收购英特尔的NAND闪存制造业务，不过整个交易需要等到2025年3月才能最终完成，届时SK Hynix有望超越铠侠，成为三星之下的世界第二大闪存制造商。
距离全固态大姐姐仓库盘又近了一步{:1_443:}
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